- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录377 > 2N7002-E3 (Vishay Siliconix)MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | 2N7002-E3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 1/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23 |
| 标准包装： | 1,000 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 115mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 7.5 欧姆 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 50pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 200mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | TO-236 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
2N7000/2N7002, VQ1000J/P, BS170
Vishay Siliconix
N-Channel 60-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
Part Number
2N7000
2N7002
VQ1000J
VQ1000P
BS170
FEATURES
V (BR)DSS Min (V)
60
r DS(on) Max ( W )
5 @ V GS = 10 V
7.5 @ V GS = 10 V
5.5 @ V GS = 10 V
5.5 @ V GS = 10 V
5 @ V GS = 10 V
BENEFITS
V GS(th) (V)
0.8 to 3
1 to 2.5
0.8 to 2.5
0.8 to 2.5
0.8 to 3
I D (A)
0.2
0.115
0.225
0.225
0.5
APPLICATIONS
D
D
D
D
D
Low On-Resistance: 2.5 W
Low Threshold: 2.1 V
Low Input Capacitance: 22 pF
Fast Switching Speed: 7 ns
Low Input and Output Leakage
D
D
D
D
D
Low Offset Voltage
Low-Voltage Operation
Easily Driven Without Buffer
High-Speed Circuits
Low Error Voltage
D Direct Logic-Level Interface: TTL/CMOS
D Drivers: Relays, Solenoids, Lamps, Hammers,
Displays, Memories, Transistors, etc.
D Battery Operated Systems
D Solid-State Relays
TO-226AA
(TO-92)
TO-236
(SOT-23)
S
1
G
1
G
D
2
3
S
2
3
D
Top View
Top View
2N7000
Marking Code: 72 wll
72 = Part Number Code for 2N7002
w = Week Code
ll = Lot Traceability
Dual-In-Line
D 1
1
14
D 4
N
S 1
2
13
S 4
N
TO-92-18RM
(TO-18 Lead Form)
G 1
3
12
G 4
NC
G 2
4
5
11
10
NC
G 3
D
G
1
2
N
S 2
6
9
S 3
N
D 2
7
8
D 3
S
3
Document Number: 70226
S-04279—Rev. F, 16-Jul-01
Top View
Plastic: VQ1000J
Sidebraze: VQ1000P
Top View
BS170
www.vishay.com
11-1
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N7002-G | MOSFET N-CH 60V 250MA SOT23 |
| 2N7002_S00Z | MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-23 |
| 2N7002A-7 | MOSFET N CH 60V 180MA SOT23 |
| 2N7002DW-7 | MOSFET N-CHANEL DUAL 60V SOT-363 |
| 2N7002DW | MOSFET N CH DL 60V 115MA SC70-6 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2N7002-E3 | 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET |
| 2N7002E-7 | 功能描述:MOSFET N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| 2N7002E-7-F | 功能描述:MOSFET N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| 2N7002E8/10K | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 115MA I(D) | TO-236AB |
| 2N7002E9/3K | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 115MA I(D) | TO-236AB |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。