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参数资料
| 型号： | 2N7002DW |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 1/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N CH DL 60V 115MA SC70-6 |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
| 产品目录绘图： | MOSFET SC70-6 Pkg |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 115mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 7.5 欧姆 @ 50mA，5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2V @ 250µA |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 50pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 200mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 供应商设备封装： | SC-70-6 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1608 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | 2N7002DWDKR |
October 2007
2N7002DW
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
Features
? Dual N-Channel MOSFET
? Low On-Resistance
? Low Gate Threshold Voltage
? Low Input Capacitance
? Fast Switching Speed
? Low Input/Output Leakage
? Ultra-Small Surface Mount Package
? Lead Free/RoHS Compliant
SC70-6 (SOT363)
1
Marking : 2N
1
Absolute Maximum Ratings *
T a = 25°C unless otherwise noted
Symbol
V DSS
V DGR
Parameter
Drain-Source Voltage
Drain-Gate Voltage R GS ≤ 1.0M ?
Value
60
60
Units
V
V
V GSS
I D
Gate-Source Voltage
Drain Current
Continuous
Pulsed
Continuous
Continuous @ 100°C
±20
±40
115
73
V
mA
Pulsed
800
T J , T STG
Junction and Storage Temperature Range
-55 to +150
° C
* These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may by impaired.
Thermal Characteristics
Symbol
P D
R θ JA
Parameter
Total Device Dissipation
Derating above T A = 25°C
Thermal Resistance, Junction to Ambient *
Value
200
1.6
625
Units
mW
mW/ ° C
° C/W
* Device mounted on FR-4 PCB, 1 inch x 0.85 inch x 0.062 inch, Minimun land pad size,
? 2007 Fairchild Semiconductor Corporation
2N7002DW Rev. A
1
www.fairchildsemi.com
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PDF描述 |
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