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参数资料
| 型号： | 2N7002KW |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 1/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 310MA SOT323 |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 310mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 1.6 欧姆 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.1V @ 250µA |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 50pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 300mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SC-70，SOT-323 |
| 供应商设备封装： | SOT-323 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
May 2011
2N7002KW
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
Features
?
?
?
?
?
?
?
?
Low On-Resistance
Low Gate Threshold Voltage
Low Input Capacitance
Fast Switching Speed
Low Input/Output Leakage
Ultra-Small Surface Mount Package
Pb Free/RoHS Compliant
ESD HBM=1000V as per JESD22 A114 and ESD CDM=1500V as per JESD22 C101
D
S
G
SOT-323
Marking : 7KW
Absolute Maximum Ratings *
T A = 25°C unless otherwise noted
Symbol
V DSS
V GSS
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Value
60
±20
Units
V
V
I D
Maximum Drain Current
- Continuous
T J = 100 ° C
- Pulsed
310
195
1.2
mA
mA
A
T J
T STG
Operating Junction Temperature Range
Storage Temperature Range
-55 to +150
-55 to +150
° C
° C
* These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may by impaired.
Thermal Characteristics
Symbol
P D
R θ JA
Parameter
Total Device Dissipation
Derating above T A = 25°C
Thermal Resistance, Junction to Ambient *
Value
300
2.4
410
Units
mW
mW/ ° C
° C/W
* Device mounted on FR-4 PCB, 1 inch x 0.85 inch x 0.062 inch. Minimum land pad size
? 2011 Fairchild Semiconductor Corporation
2N7002KW Rev. A0
1
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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