参数资料
型号: 2N7002TC
厂商: Diodes Inc
文件页数: 1/4页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CHAN 60V SOT23-3
标准包装: 10,000
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 115mA
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 7.5 欧姆 @ 500mA,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 2.5V @ 250µA
输入电容 (Ciss) @ Vds: 50pF @ 25V
功率 - 最大: 330mW
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商设备封装: SOT-23-3
包装: 带卷 (TR)
2N7002
60V SOT23 N-channel enhancement mode MOSFET
Summary
V (BR)DSS
60
R DS(on) ( )
7.5 @ V GS = 10V
7.5 @ V GS = 5V
I D (A)
0.5
0.05
Description
A small signal MOSFET for general purpose switching applications.
Features
?
?
?
Fast switching speed
Low gate drive capability
SOT23 package
G
D
Applications
?
General switching applications
S
Ordering information
S
Device
2N7002
Device marking
702
Reel size
(inches)
7
Tape width
(mm)
8
Quantity per reel
3,000
D
Top view
G
Issue 5 - October 2007
? Zetex Semiconductors plc 2007
1
www.zetex.com
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PDF描述
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