参数资料
型号: 2N7002TC
厂商: Diodes Inc
文件页数: 3/4页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CHAN 60V SOT23-3
标准包装: 10,000
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 115mA
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 7.5 欧姆 @ 500mA,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 2.5V @ 250µA
输入电容 (Ciss) @ Vds: 50pF @ 25V
功率 - 最大: 330mW
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商设备封装: SOT-23-3
包装: 带卷 (TR)
2N7002
SOT23 Package outline
E
e
b
3 leads
e1
L1
E1
A
D
A1
L
c
Dim.
Millimeters
Inches
Dim.
Millimeters
Inches
Min.
Max.
Min.
Max.
Min.
Max.
Min.
Max.
A
-
1.12
-
0.044
e1
1.90 NOM
0.075 NOM
A1
b
c
D
0.01
0.30
0.085
2.80
0.10
0.50
0.20
3.04
0.0004
0.012
0.003
0.110
0.004
0.020
0.008
0.120
E
E1
L
L1
2.10
1.20
0.25
0.45
2.64
1.40
0.60
0.62
0.083
0.047
0.0098
0.018
0.104
0.055
0.0236
0.024
e
0.95 NOM
0.037 NOM
-
-
-
-
-
Note: Controlling dimensions are in millimeters. Approximate dimensions are provided in inches
Issue 5 - October 2007
? Zetex Semiconductors plc 2007
3
www.zetex.com
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