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参数资料
| 型号： | 2N7002T |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 1/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-523F |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 20/Aug/2008 |
| 产品目录绘图： | SOT-523F, SC89-3 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 115mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 7.5 欧姆 @ 50mA，5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2V @ 250µA |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 50pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 200mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SC-89，SOT-490 |
| 供应商设备封装： | SOT-523F |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1605 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | 2N7002TDKR |
October 2007
2N7002T
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
Features
? Low On-Resistance
? Low Gate Threshold Voltage
? Low Input Capacitance
? Fast Switching Speed
? Low Input/Output Leakage
? Ultra-Small Surface Mount Package
? Lead Free/RoHS Compliant
D
S
G
SOT - 523F
Marking : AA
Absolute Maximum Ratings *
T a = 25°C unless otherwise noted
Symbol
V DSS
V DGR
Parameter
Drain-Source Voltage
Drain-Gate Voltage R GS ≤ 1.0M ?
Value
60
60
Units
V
V
V GSS
I D
Gate-Source Voltage
Drain Current
Continuous
Pulsed
Continuous
Continuous @ 100°C
±20
±40
115
73
V
mA
Pulsed
800
T J
T STG
Junction Temperature
Storage Temperature Range
150
-55 to +150
° C
° C
* These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may by impaired.
Thermal Characteristics
Symbol
P D
R θ JA
Parameter
Total Device Dissipation
Derating above T A = 25°C
Thermal Resistance, Junction to Ambient *
Value
200
1.6
625
Units
mW
mW/ ° C
° C/W
* Device mounted on FR-4 PCB, 1 inch x 0.85 inch x 0.062 inch. Minimun land pad size,
? 2007 Fairchild Semiconductor Corporation
2N7002T Rev. A
1
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N7002VA | MOSF N CH DL 60V 280MA SOT 563F |
| 2N7002VC-7 | MOSFET N-CH DUAL 60V SOT-563 |
| 2N7002W-7 | MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-323 |
| 2N7002W | MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-323 |
| 2SJ649-AZ | MOSFET P-CH -60V -20A TO-220 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2N7002T T/R | 功能描述:MOSFET TAPE7 MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| 2N7002T,215 | 功能描述:MOSFET TAPE7 MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| 2N7002T/R | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET Transistor, N-Channel, TO-236AB |
| 2N7002T_09 | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| 2N7002T_1 | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
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