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参数资料
| 型号： | 2N7002T |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 2/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-523F |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 20/Aug/2008 |
| 产品目录绘图： | SOT-523F, SC89-3 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 115mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 7.5 欧姆 @ 50mA，5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2V @ 250µA |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 50pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 200mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SC-89，SOT-490 |
| 供应商设备封装： | SOT-523F |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1605 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | 2N7002TDKR |
Electrical Characteristics
T C = 25°C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
Test Condition
MIN
TYP
MAX
Units
Off Characteristics (Note1)
BV DSS
I DSS
I GSS
Drain-Source Breakdown Voltage
Zero Gate Voltage Drain Current
Gate-Body Leakage
V GS = 0V, I D =10uA
V DS = 60V, V GS = 0V
V DS = 60V, V GS = 0V, @T C = 125 ° C
V GS = ±20V, V DS = 0V
60
-
-
78
0.001
7
0.2
-
1.0
500
±10
V
uA
nA
On Characteristics (Note1)
V GS(th)
Gate Threshold Voltage
V DS = V GS , I D = 250uA
1.0
1.76
2.0
V
R DS(ON)
Satic Drain-Source On-Resistance V GS = 5V, I D = 0.05A,
V GS = 10V, I D = 0.5A, @T j = 125°C
-
-
1.6
2.53
7.5
13.5
?
I D(ON)
g FS
On-State Drain Current
Forward Transconductance
V GS = 10V, V DS = 7.5V
V DS = 10V, I D = 0.2A
0.5
80
1.43
356.5
-
-
A
mS
Dynamic Characteristics
C iss
Input Capacitance
-
37.8
50
pF
C oss
C rss
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
V DS = 25V, V GS = 0V, f = 1.0MHz
-
-
12.4
6.5
25
7.0
pF
pF
Switching Characteristics
t D(ON)
t D(OFF)
Turn-On Delay Time
Turn-Off Delay Time
V DD = 30V, I D = 0.2A, V GEN = 10V
R L = 150 ? , R GEN = 25 ?
-
-
5.85
12.5
20
20
ns
Note1 : Short duration test pulse used to minimize self-heating effect .
? 2007 Fairchild Semiconductor Corporation
2N7002T Rev. A
2
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2N7002T T/R | 功能描述:MOSFET TAPE7 MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| 2N7002T,215 | 功能描述:MOSFET TAPE7 MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| 2N7002T/R | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET Transistor, N-Channel, TO-236AB |
| 2N7002T_09 | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| 2N7002T_1 | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
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