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参数资料
| 型号： | 2N7002W |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 1/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-323 |
| 产品目录绘图： | MOSFET SOT-323 Pkg |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 115mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 7.5 欧姆 @ 50mA，5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2V @ 250µA |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 50pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 200mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SC-70，SOT-323 |
| 供应商设备封装： | SC-70 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1604 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | 2N7002WDKR |
February 2010
2N7002W
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
Features
?
?
?
?
?
?
?
Low On-Resistance
Low Gate Threshold Voltage
Low Input Capacitance
Fast Switching Speed
Low Input/Output Leakage
Ultra-Small Surface Mount Package
Lead Free/RoHS Compliant
D
G
SOT - 323
Marking : 2N
S
Absolute Maximum Ratings *
T A = 25°C unless otherwise noted
Symbol
V DSS
V DGR
Parameter
Drain-Source Voltage
Drain-Gate Voltage R GS ? 1.0M ?
Value
60
60
Units
V
V
V GSS
I D
Gate-Source Voltage
Drain Current
Continuous
Pulsed
Continuous
Continuous @ 100°C
±20
±40
115
73
V
mA
Pulsed
800
T J , T STG
Junction and Storage Temperature Range
-55 to +150
? C
* These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may by impaired.
Thermal Characteristics
Symbol
P D
R ? JA
Parameter
Total Device Dissipation
Derating above T A = 25°C
Thermal Resistance, Junction to Ambient *
Value
200
1.6
625
Units
mW
mW/ ? C
? C/W
* Device mounted on FR-4 PCB, 1 inch x 0.85 inch x 0.062 inch. Minimum land pad size.
? 2010 Fairchild Semiconductor Corporation
2N7002W Rev. A1
1
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SJ649-AZ | MOSFET P-CH -60V -20A TO-220 |
| 2SJ652-RA11 | MOSFET P-CH 60V 28A TO-220ML |
| 2SJ673-AZ | MOSFET P-CH -60V -36A TO-220 |
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| 2SK2094TL | MOSFET N-CH 60V 2A DPAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2N7002W _R1 _00001 | 制造商:PanJit Touch Screens 功能描述: |
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