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参数资料
| 型号： | 2SJ652-RA11 |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 1/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 60V 28A TO-220ML |
| 标准包装： | 50 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 28A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 38 毫欧 @ 14A，10V |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 80nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 4360pF @ 20V |
| 功率 - 最大： | 2W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 整包 |
| 供应商设备封装： | TO-220ML |
| 包装： | 管件 |
Ordering number : EN7625A
2SJ652
P-Channel Power MOSFET
–60V, –28A, 38m Ω , TO-220F-3SG
Features
http://onsemi.com
?
?
?
ON-resistance RDS(on)1=28.5m Ω (typ.)
Input capacitance Ciss=4360pF (typ.)
4V drive
Speci ? cations
Absolute Maximum Ratings at Ta=25°C
Parameter
Drain-to-Source Voltage
Gate-to-Source Voltage
Drain Current (DC)
Symbol
VDSS
VGSS
ID
Conditions
Ratings
--60
±20
--28
Unit
V
V
A
Drain Current (Pulse)
Allowable Power Dissipation
Channel Temperature
Storage Temperature
Avalanche Energy (Single Pulse) *1
Avalanche Current *2
IDP
PD
Tch
Tstg
EAS
IAV
PW ≤ 10 μ s, duty cycle ≤ 1%
Tc=25°C
--112
2.0
30
150
--55 to +150
343
--28
A
W
W
°C
°C
mJ
A
Note : * 1 VDD=--30V, L=500 μ H, IAV=--28A (Fig.1)
* 2 L ≤ 500 μ H, single pulse
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended Operating
Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the Recommended Operating Conditions may affect device reliability.
Package Dimensions
Product & Package Information
unit : mm (typ)
7529-001
? Package
? JEITA, JEDEC
: TO-220F-3SG
: SC-67
10.16
4.7
2SJ652-1E
? Minimum Packing Quantity
: 50 pcs./magazine
3.18
2.54
Marking
Electrical Connection
2
A
1.47 MAX
2.76
J652
LOT No.
1
0.8
DETAIL-A
(0.84)
3
1
2
3
0.5
1 : Gate
EMC
FRAME
2 : Drain
3 : Source
2.54
2.54
TO-220F-3SG
Semiconductor Components Industries, LLC, 2013
July, 2013
51612QA TKIM TC-00002759/72503 TSIM TA-4245 No.7625-1/7
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SJ673-AZ | MOSFET P-CH -60V -36A TO-220 |
| 2SJ687-ZK-E1-AY | MOSFET P-CH -20V -20A TO-252 |
| 2SK2094TL | MOSFET N-CH 60V 2A DPAK |
| 2SK3018T106 | MOSFET N-CH 30V .1A SOT-323 |
| 2SK3019TL | MOSFET N-CH 30V .1A SOT416 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SJ653 | 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述:MOSFET P CH 60V 37A TO-220ML |
| 2SJ654 | 制造商:SANYO 功能描述:Pch -100V 240A 315m@10V TO220ML Bulk 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述:MOSFET P CH 100V 8A TO220ML 制造商:Sanyo 功能描述:Trans MOSFET P-CH 100V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220ML |
| 2SJ655 | 功能描述:MOSFET P-CH 100V 12A TO-220ML RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| 2SJ655-MG5 | 制造商:Sony Semiconductor Solutions Division 功能描述: |
| 2SJ656 | 功能描述:MOSFET POWER MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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