- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录378 > 2SJ652-RA11 (ON Semiconductor)MOSFET P-CH 60V 28A TO-220ML Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | 2SJ652-RA11 |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 60V 28A TO-220ML |
| 标准包装： | 50 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 28A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 38 毫欧 @ 14A，10V |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 80nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 4360pF @ 20V |
| 功率 - 最大： | 2W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 整包 |
| 供应商设备封装： | TO-220ML |
| 包装： | 管件 |
2SJ652
--10
VGS -- Qg
3
ASO
1m
10
10 ms
0m
e a
ion
0 μ
--9
--8
--7
--6
--5
--4
2
--100
7
5
3
2
--10
7
5
3
2
IDP= --112A (PW ≤ 10 μ s)
ID= --28A
Operation in this area
DC
op
r t
s
s
10
10
s
μ s
--3
--2
--1
--1.0
7
5
3
2
is limited by RDS(on).
Tc=25 ° C
Single pulse
--0.1
0
0
10
20
30
40
50
60
70
80
--0.1
2 3
5 7 --1.0
2
3
5 7 --10
2
3
5 7 --100
2.5
Total Gate Charge, Qg -- nC
PD -- Ta
IT06559
40
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
PD -- Tc
IT16830
35
2.0
30
1.5
1.0
25
20
15
10
0.5
5
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
Ambient Temperature, Ta -- ° C
IT06545
Case Temperature, Tc -- ° C
IT06544
No.7625-4/7
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SJ673-AZ | MOSFET P-CH -60V -36A TO-220 |
| 2SJ687-ZK-E1-AY | MOSFET P-CH -20V -20A TO-252 |
| 2SK2094TL | MOSFET N-CH 60V 2A DPAK |
| 2SK3018T106 | MOSFET N-CH 30V .1A SOT-323 |
| 2SK3019TL | MOSFET N-CH 30V .1A SOT416 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SJ653 | 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述:MOSFET P CH 60V 37A TO-220ML |
| 2SJ654 | 制造商:SANYO 功能描述:Pch -100V 240A 315m@10V TO220ML Bulk 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述:MOSFET P CH 100V 8A TO220ML 制造商:Sanyo 功能描述:Trans MOSFET P-CH 100V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220ML |
| 2SJ655 | 功能描述:MOSFET P-CH 100V 12A TO-220ML RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| 2SJ655-MG5 | 制造商:Sony Semiconductor Solutions Division 功能描述: |
| 2SJ656 | 功能描述:MOSFET POWER MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。