- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录378 > 2SJ652-RA11 (ON Semiconductor)MOSFET P-CH 60V 28A TO-220ML Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | 2SJ652-RA11 |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 2/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 60V 28A TO-220ML |
| 标准包装： | 50 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 28A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 38 毫欧 @ 14A，10V |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 80nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 4360pF @ 20V |
| 功率 - 最大： | 2W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 整包 |
| 供应商设备封装： | TO-220ML |
| 包装： | 管件 |
2SJ652
Electrical Characteristics at Ta=25°C
Parameter
Symbol
Conditions
min
Ratings
typ
max
Unit
Drain-to-Source Breakdown Voltage
Zero-Gate Voltage Drain Current
Gate-to-Source Leakage Current
V(BR)DSS
IDSS
IGSS
ID=--1mA, VGS=0V
VDS=--60V, VGS=0V
VGS=±16V, VDS=0V
--60
--1
±10
V
μ A
μ A
Cutoff Voltage
Forward Transfer Admittance
VGS(off)
| yfs |
VDS=--10V, ID=--1mA
VDS=--10V, ID=--14A
--1.2
18
26
--2.6
V
S
Static Drain-to-Source On-State Resistance
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Turn-ON Delay Time
Rise Time
Turn-OFF Delay Time
Fall Time
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain “Miller” Charge
Diode Forward Voltage
RDS(on)1
RDS(on)2
Ciss
Coss
Crss
td(on)
tr
td(off)
tf
Qg
Qgs
Qgd
VSD
ID=--14A, VGS=--10V
ID=--14A, VGS=--4V
VDS=--20V, f=1MHz
See Fig.2
VDS=--30V, VGS=--10V, ID=--28A
IS=--28A, VGS=0V
28.5
39
4360
470
335
33
210
310
180
80
15
12
--0.96
38
55.5
--1.2
m Ω
m Ω
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
Fig.1 Avalanche Resistance Test Circuit
Fig.2 Switching Time Test Circuit
≥ 50 Ω
RG
L
0V
--10V
VIN
VIN
VDD= --30V
ID= --14A
RL=2.1 Ω
0V
--10V
50 Ω
2SJ652
VDD
PW=10 μ s
D.C. ≤ 1%
G
D
VOUT
2SJ652
Ordering Information
P.G
50 Ω
S
2SJ652-1E
Device
Package
TO-220F-3SG
Shipping
50pcs./magazine
memo
Pb Free
No.7625-2/7
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SJ673-AZ | MOSFET P-CH -60V -36A TO-220 |
| 2SJ687-ZK-E1-AY | MOSFET P-CH -20V -20A TO-252 |
| 2SK2094TL | MOSFET N-CH 60V 2A DPAK |
| 2SK3018T106 | MOSFET N-CH 30V .1A SOT-323 |
| 2SK3019TL | MOSFET N-CH 30V .1A SOT416 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SJ653 | 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述:MOSFET P CH 60V 37A TO-220ML |
| 2SJ654 | 制造商:SANYO 功能描述:Pch -100V 240A 315m@10V TO220ML Bulk 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述:MOSFET P CH 100V 8A TO220ML 制造商:Sanyo 功能描述:Trans MOSFET P-CH 100V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220ML |
| 2SJ655 | 功能描述:MOSFET P-CH 100V 12A TO-220ML RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| 2SJ655-MG5 | 制造商:Sony Semiconductor Solutions Division 功能描述: |
| 2SJ656 | 功能描述:MOSFET POWER MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。