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参数资料
| 型号： | 2SJ652-RA11 |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 60V 28A TO-220ML |
| 标准包装： | 50 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 28A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 38 毫欧 @ 14A，10V |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 80nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 4360pF @ 20V |
| 功率 - 最大： | 2W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 整包 |
| 供应商设备封装： | TO-220ML |
| 包装： | 管件 |
2SJ652
--50
Tc=25°C
ID -- VDS
--4V
--50
VDS= --10V
ID -- VGS
--40
--30
--20
--40
--30
--20
--10
VGS= --3V
--10
25
° C
0
0
--0.5
--1.0
--1.5
--2.0
--2.5
--3.0
--3.5
--4.0
--4.5
--5.0
0
0
--0.5
--1.0
--1.5
--2.0
--2.5
--3.0
--3.5
--4.0
--4.5
--5.0
100
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
RDS(on) -- VGS
IT06535
70
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V
RDS(on) -- Tc
IT06536
ID= --14A
60
80
= --
A, V
14
I D=
= --1
4A,
I D=
60
40
Tc=75 ° C
50
40
30
--
--1
GS
VGS
4V
0V
25 ° C
20
20
--25 ° C
10
0
--2
--3
--4
--5
--6
--7
--8
--9
--10
0
--50
--25
0
25
50
75
100
125
150
5 ° C
Tc=
5 ° C
100
7
5
3
2
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V
| y fs | -- ID
VDS= --10 V
--2
75 °
2
C
IT06537
7
5
3
2
--10
7
5
3
2
--1.0
7
5
Case Temperature, Tc -- ° C
IF -- VSD
IT06538
VGS=0V
10
7
5
3
2
3
2
--0.1
7
5
3
2
--0.01
7
5
3
2
1.0
--0.1
2
3
5
7 --1.0
2
3
5
7 --10
2
3
5
7
--0.001
0
--0.3
--0.6
--0.9
--1.2
--1.5
7
5
Drain Current, ID -- A
SW Time -- ID
td(off)
IT06539
7
5
Diode Forward Voltage, VSD -- V
Ciss, Coss, Crss -- VDS
Ciss
IT06540
f=1MHz
3
2
100
tf
3
2
1000
7
5
3
tr
td(on)
7
5
3
Coss
Crss
2
VDD= --30V
2
7 --10
10
--0.1
2
3
5
7 --1.0
2
3
5
VGS= --10V
2 3
5
100
0
--5
--10
--15
--20
--25
--30
Drain Current, ID -- A
IT06541
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
IT06542
No.7625-3/7
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PDF描述 |
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