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参数资料
| 型号： | 2N7002W |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 2/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-323 |
| 产品目录绘图： | MOSFET SOT-323 Pkg |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 115mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 7.5 欧姆 @ 50mA，5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2V @ 250µA |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 50pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 200mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SC-70，SOT-323 |
| 供应商设备封装： | SC-70 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1604 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | 2N7002WDKR |
Electrical Characteristics
T A = 25°C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
Test Condition
Min.
Typ.
Max.
Units
Off Characteristics (Note1)
BV DSS
I DSS
Drain-Source Breakdown Voltage V GS =0V, I D =10uA
Zero Gate Voltage Drain Current V DS =60V, V GS =0V
V DS =60V, V GS =0V, @T C =125 ? C
60
-
78
0.001
7
-
1.0
500
V
? A
I GSS
Gate-Body Leakage
V GS =±20V, V DS =0V
-
0.2
±10
nA
On Characteristics (Note1)
V GS(th)
R DS(ON)
I D(ON)
g FS
Gate Threshold Voltage
Static Drain-Source
On-Resistance
On-State Drain Current
Forward Transconductance
V DS =V GS , I D =250 ? A
V GS =5V, I D =0.05A,
V GS =10V, I D =0.5A, @T J =125°C
V GS =10V, V DS =7.5V
V DS =10V, I D =0.2A
1.0
-
-
0.5
80
1.76
1.6
2.53
1.43
356.5
2.0
7.5
13.5
-
-
V
?
A
mS
Dynamic Characteristics
C iss
Input Capacitance
-
37.8
50
pF
C oss
C rss
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
V DS =25V, V GS =0V, f=1.0MHz
-
-
12.4
6.5
25
7.0
pF
pF
Switching Characteristics
t D(ON)
t D(OFF)
Turn-On Delay Time
Turn-Off Delay Time
V DD =30V, I D =0.2A, V GEN =10V
R L =150 ? , R GEN =25 ?
-
-
5.85
12.5
20
20
ns
Note1 : Short duration test pulse used to minimize self-heating effect.
? 2010 Fairchild Semiconductor Corporation
2N7002W Rev. A1
2
www.fairchildsemi.com
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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