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参数资料
| 型号： | 2N7002T |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-523F |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 20/Aug/2008 |
| 产品目录绘图： | SOT-523F, SC89-3 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 115mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 7.5 欧姆 @ 50mA，5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2V @ 250µA |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 50pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 200mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SC-89，SOT-490 |
| 供应商设备封装： | SOT-523F |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1605 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | 2N7002TDKR |
Typical Performance Characteristics
Figure 1. On-Region Characteristics
1.6
Figure 2. On-Resistance Variation with Gate
Voltage and Drain Current
3.0
1.4
1.2
V GS = 10V
5V
2.5
V GS = 3V
4V
4.5V
5V
6V
1.0
0.8
0.6
4V
2.0
10V
0.4
3V
1.5
8V
9V
0.2
0.0
2V
1.0
7V
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
V DS . DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 3. On-Resistance Variation with
Temperature
3.0
V GS = 10V
I D . DRAIN-SOURCE CURRENT(A)
Figure 4. On-Resistance Variation with
Gate-Source Voltage
3.0
2.5
2.0
I D = 500 mA
2.5
I D = 500 mA
2.0
1.5
I D = 50 mA
1.5
1.0
0.5
1.0
-50
0
50
100
150
2
4
6
8
10
T J . JUNCTION TEMPERATURE( C)
Figure 5. Transfer Characteristics
1.0
o
V GS . GATE-SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 6. Gate Threshold Variation with
Temperature
2.5
T J = -25 C
150 C
0.8
V DS = 10V
o
o
V GS = V DS
25 C
125 C
75 C
0.6
0.4
o
o
o
2.0
I D = 0.25 mA
I D = 1 mA
1.5
0.2
0.0
2
3
4
5
6
1.0
-50
0
50
100
150
T J . JUNCTION TEMPERATURE( C)
V GS . GATE-SOURCE VOLTAGE (V)
? 2007 Fairchild Semiconductor Corporation
2N7002T Rev. A
3
o
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2N7002T T/R | 功能描述:MOSFET TAPE7 MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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| 2N7002T/R | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET Transistor, N-Channel, TO-236AB |
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| 2N7002T_1 | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
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