- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录377 > 2N7002K (Fairchild Semiconductor)MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | 2N7002K |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 1/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23 |
| 产品目录绘图： | SuperSOT-3, SOT-23 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 300mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 2 欧姆 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 50pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 350mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SOT-23 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1602 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | 2N7002KDKR |
January 2012
2N7002K
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
Features
?
?
?
?
?
?
?
?
Low On-Resistance
Low Gate Threshold Voltage
Low Input Capacitance
Fast Switching Speed
Low Input/Output Leakage
Ultra-Small Surface Mount Package
Pb Free/RoHS Compliant
ESD HBM=2000V (Typical:3000V) as per JESD22 A114 and ESD CDM=2000V as per JESD22 C101
D
S
G
SOT - 23
Marking : 7K
Absolute Maximum Ratings *
T A = 25°C unless otherwise noted
Symbol
V DSS
V DGR
V GSS
Parameter
Drain-Source Voltage
Drain-Gate Voltage R GS ≤ 1.0M Ω
Gate-Source Voltage
Value
60
60
±20
Units
V
V
V
I D
Drain Current
Continuous
Pulsed
300
800
mA
T J
T STG
Operating Junction Temperature Range
Storage Temperature Range
-55 to +150
-55 to +150
° C
° C
* These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may by impaired.
Thermal Characteristics
Symbol
P D
R θ JA
Parameter
Total Device Dissipation
Derating above T A = 25°C
Thermal Resistance, Junction to Ambient *
Value
350
2.8
350
Units
mW
mW/ ° C
° C/W
* Device mounted on FR-4 PCB, 1 inch x 0.85 inch x 0.062 inch. Minimum land pad size
? 2011 Fairchild Semiconductor Corporation
2N7002K Rev. A3
1
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N7002LT1 | MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-23 |
| 2N7002T-7 | MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-523 |
| 2N7002TC | MOSFET N-CHAN 60V SOT23-3 |
| 2N7002T | MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-523F |
| 2N7002VA | MOSF N CH DL 60V 280MA SOT 563F |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2N7002K / T1 | 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:TRANSISTOR MOSFET 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:TRANSISTOR, MOSFET |
| 2N7002K _R1 _00001 | 制造商:PanJit Touch Screens 功能描述: |
| 2N7002K,215 | 功能描述:MOSFET TAPE13 PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| 2N7002K | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET N CH 60V 0.34A SOT23 |
| 2N7002K_ R2 _00001 | 制造商:PanJit Touch Screens 功能描述: |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。