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参数资料
| 型号： | 2N7002K |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 2/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23 |
| 产品目录绘图： | SuperSOT-3, SOT-23 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 300mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 2 欧姆 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 50pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 350mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SOT-23 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1602 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | 2N7002KDKR |
Electrical Characteristics
T A = 25°C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
Test Condition
MIN
MAX
Units
Off Characteristics (Note1)
BV DSS
I DSS
I GSS
Drain-Source Breakdown Voltage
Zero Gate Voltage Drain Current
Gate-Body Leakage
V GS = 0V, I D = 10uA
V DS = 60V, V GS = 0V
V DS = 60V, V GS = 0V, @T C =125 ° C
V GS = ±20V, V DS = 0V
60
1.0
500
±10
V
μ A
μ A
On Characteristics (Note1)
V GS(th)
Gate Threshold Voltage
V DS = V GS , I D = 250uA
1.0
2.5
V
R DS(ON)
Satic Drain-Source On-Resistance V GS = 10V, I D = 0.5A
V GS = 4.5V, I D = 200mA
2
4
Ω
I D(ON)
g FS
On-State Drain Current
Forward Transconductance
V GS = 10V, V DS = 7.5V
V DS = 10V, I D = 0.2A
1.5
200
A
mS
Dynamic Characteristics
C iss
Input Capacitance
50
pF
C oss
C rss
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
V DS = 25V, V GS = 0V, f = 1.0MHz
15
6
pF
pF
Switching Characteristics
t D(ON)
t D(OFF)
Turn-On Delay Time
Turn-Off Delay Time
V DD = 30V, I DSS = 200mA,
R G = 10 Ω , V GS = 10V
5
30
ns
Note1 : Short duration test pulse used to minimize self-heating effect.
? 2011 Fairchild Semiconductor Corporation
2N7002K Rev. A3
2
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N7002LT1 | MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-23 |
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| 2N7002TC | MOSFET N-CHAN 60V SOT23-3 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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