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参数资料
| 型号： | 2N7002-E3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 5/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23 |
| 标准包装： | 1,000 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 115mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 7.5 欧姆 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 50pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 200mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | TO-236 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
2N7000/2N7002, VQ1000J/P, BS170
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS (T A = 25 _ C UNLESS OTHERWISE NOTED)
1.000
Source-Drain Diode Forward Voltage
6
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
0.100
0.010
0.001
T J = 125 _ C
T J = 25 _ C
5
4
3
2
1
0
I D = 50 mA
500 mA
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
V SD – Source-to-Drain Voltage (V)
0.50
0.25
– 0.00
– 0.25
– 0.50
– 0.75
Threshold Voltage
I D = 250 m A
V GS – Gate-to-Source Voltage (V)
– 50
– 25
0
25
50
75
100
125
150
Normalized Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Ambient (TO-226AA, BS170 Only)
1
Duty Cycle = 0.5
0.2
0.1
Notes:
0.1
0.05
P DM
0.02
t 1
t 1
0.01
t 2
1. Duty Cycle, D =
t 2
2. Per Unit Base = R thJA = 156 _ C/W
3. T JM – T A = P DM Z thJA(t)
Single Pulse
0.01
0.1
1
10
100
1K
10 K
t 1 – Square Wave Pulse Duration (sec)
Document Number: 70226
S-04279 — Rev. F, 16-Jul-01
www.vishay.com
11-5
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N7002-G | MOSFET N-CH 60V 250MA SOT23 |
| 2N7002_S00Z | MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-23 |
| 2N7002A-7 | MOSFET N CH 60V 180MA SOT23 |
| 2N7002DW-7 | MOSFET N-CHANEL DUAL 60V SOT-363 |
| 2N7002DW | MOSFET N CH DL 60V 115MA SC70-6 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2N7002-E3 | 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET |
| 2N7002E-7 | 功能描述:MOSFET N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| 2N7002E-7-F | 功能描述:MOSFET N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| 2N7002E8/10K | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 115MA I(D) | TO-236AB |
| 2N7002E9/3K | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 115MA I(D) | TO-236AB |
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