参数资料
型号: 2N7002-G
厂商: Comchip Technology
文件页数: 2/4页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 60V 250MA SOT23
标准包装: 3,000
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 250mA
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 3 欧姆 @ 250mA,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 2.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 1nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 25pF @ 25V
功率 - 最大: 350mW
封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商设备封装: SOT-23
包装: 带卷 (TR)
MOSFET
RATING AND CHARACTERISTIC CURVES (2N7002-G)
1.0
Fig.1 On-Region Characteristics
V GS =10V
9.0V
7
Fig.2 On-Resistance vs Drain Current
T J = 25C O
0.8
8.0V
7.0V
6.5V
6.0V
4.5V
6
5
V GS = 5.0V
4.0V
0.6
0.4
3.5V
3.0V
2.5V
2.0/1.0V
5.5V
5.0V
4
3
V GS = 10V
2
0.2
1
0
0
0
1
2
3
4
5
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
2.0
V DS , Drain-Source Voltage(V)
Fig.3 On-Resistance vs Junction Temperature
6
I D , Drain Current (A)
Fig.4 On-Resistance vs Gate-Source Voltage
5
1.5
V GS =10V, I D =0.5A
4
I D = 500mA
V GS =5V, I D =0.05A
1.0
3
I D = 50mA
2
0.5
1
0
0
-55
-30
-5
20
45
70
95
120
145
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
T J , Junction Temperature ( O C)
V GS , Gate to Source Voltage (V)
REV:B
QW-BTR12
Comchip Technology CO., LTD.
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