- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录18463 > 2N7002_NB9G002 (Fairchild Semiconductor)MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-23 PDF资料下载
参数资料
| 型号： | 2N7002_NB9G002 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 6/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-23 |
| 产品变化通告： | Product Discontinuation Notice 17/Jan/2008 |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 115mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 7.5 欧姆 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 50pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 200mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SOT-23 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Typical Electrical Characteristics (continued)
3
3
2
1
2
1
10
0u
s
Lim
ON
ms
0m
10
N)
S(O
10
0m
0.5
0.1
0.05
0.01
RD
S(
it
)
V GS = 10V
SINGLE PULSE
T A = 25°C
DC
10
10
1s
s
1m
s
10
s
0u
s
0.5
0.1
0.05
0.01
it
Lim
RD
V GS = 10V
SINGLE PULSE
T A = 25°C
10
1s
s
DC
10
s
1m
ms
s
0.005
1
2
5
10
20
30
60
80
0.005
1
2
5
10
20
30
60
80
3
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 13. 2N7000 Maximum
Safe Operating Area
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 14. 2N7002 Maximum
Safe Operating Area
1m
2
1
0.5
RD
S(O
N)
Lim
it
10
s
0u
s
10
ms
10
DC
0.1
0.05
0.01
V GS = 10V
SINGLE PULSE
T A = 25°C
10
1s
s
0m
s
0.005
1
2
5
10
20
30
60
80
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 15. NDS7000A Maximum
Safe Operating Area
1
0.5
D = 0.5
R θ JA (t) = r(t) * R θ JA
0.2
0.1
0 .2
0.1
P(pk)
R θ JA
= (See Datasheet)
0.05
0.05
0 .02
t 1
t 2
0.02
0.01
Single Pulse
T J - T A = P * R θ JA (t)
Duty Cycle, D = t 1 /t 2
0.01
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
300
t 1 , TIME (sec)
Figure 16. TO-92, 2N7000 Transient Thermal Response Curve
1
0.5
D = 0.5
R θ
JA
0.2
0.1
0.05
0 .2
0.1
0 .0 5
0 .0 2
P(pk)
R θ JA (t) = r(t) * R θ JA
= (See Datasheet)
0.01
0 .0 1
t 1
t 2
Single Pulse
T J - T A = P * R θ JA (t)
0.002
Duty Cycle, D = t 1 /t 2
0.001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
300
t 1 , TIME (sec)
Figure 17. SOT-23, 2N7002 / NDS7002A Transient Thermal Response Curve
2N7000.SAM Rev. A1
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HCM49-4.433619MABJT | CRYSTAL 4.433619 MHZ 18PF SMD |
| FXO-HC530-11.0592 | OSC 11.0592 MHZ 3.3V HCMOS SMD |
| ABLJO-150.000MHZ-T | OSCILLATOR 150.000 MHZ 3.3V SMD |
| PB-12323AVB | SWITCH PUSH SPDT 0.5VA 28V |
| B32620A4153J | CAP FILM 0.015UF 400VDC RADIAL |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2N7002NT1 | 制造商:WILLAS 制造商全称:WILLAS 功能描述:30 V, 154 mA, Single |
| 2N7002P | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFETN CH60V0.36ASOT23 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET,N CH,60V,0.36A,SOT23 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET,N CH,60V,0.36A,SOT23; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:360mA; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):1ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:1.75V; No. of Pins:3 ;RoHS Compliant: Yes |
| 2N7002P,215 | 功能描述:MOSFET 60V 0.3A N-CHANNEL TRENCH MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| 2N7002P,235 | 功能描述:MOSFET N-CH 60 V 360 mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| 2N7002P@215 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:Trans MOSFET N-CH 60V 0.36A 3-Pin TO-236AB T/R |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。