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参数资料
| 型号： | 2N7002-T1-E3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23 |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 115mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 7.5 欧姆 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 50pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 200mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | TO-236 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
2N7000/2N7002, VQ1000J/P, BS170
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS (T A = 25 _ C UNLESS OTHERWISE NOTED)
Output Characteristics
1.0
V GS = 10, 9, 8, 7 V
6.5 V
1.0
Transfer Characteristics
0.8
6V
0.8
T J = – 55 _ C
0.6
5.5 V
5V
0.6
25 _ C
125 _ C
0.4
0.2
4.5 V
4V
3.5 V
3V
2.5 V
0.4
0.2
0.0
2, 1 V
0.0
0
1
2
3
4
5
6
0
1
2
3
4
5
6
7
8
7
V DS – Drain-to-Source Voltage (V)
On-Resistance vs. Drain Current
60
V GS – Gate-to-Source Voltage (V)
Capacitance
V GS = 0 V
6
50
f = 1 MHz
r DS @ 5 V = V GS
5
40
4
30
3
2
r DS @ 10 V = V GS
20
C iss
C oss
1
0
10
0
C rss
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
0
5
10
15
20
25
30
35
I D – Drain Current (A)
V DS – Drain-to-Source Voltage (V)
20
Gate Charge
2.0
On-Resistance vs. Junction Temperature
I D = 0.5 A
16
12
8
4
V DS = 30 V
1.5
1.0
0.5
V GS = 10 V, r DS @ 0.5 A
V GS = 5 V, r DS @ 0.05 A
0
0.0
0
400
800
1200
1600
2000
2400
– 55
– 30
– 5
20
45
70
95
120
145
www.vishay.com
11-4
Q g – Total Gate Charge (pC)
T J – Junction Temperature ( _ C)
Document Number: 70226
S-04279 — Rev. F, 16-Jul-01
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AML22CBR3BC | SWITCH PUSHBUTTON DPDT 0.1A 125V |
| P160KN-0QC15B25K | POT ROTARY 25K OHM 16MM PC PIN |
| 252A124B50NB | POT JOYSTICK 120K OHM W/SWITCH |
| 252B104B50NB | POT JOYSTICK 100K OHM W/SWITCH |
| 252A104B50NB | POT JOYSTICK 100K OHM W/SWITCH |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2N7002-T1-E3 | 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET N TO-236 |
| 2N7002-T1-E3 | 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET |
| 2N7002-T1-ER | 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:SOT23 NCH MOSFET 60V 7.5R |
| 2N7002-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 60V 115mA 0.2W 7.5ohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| 2N7002-T1-JIT | 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:2N7002-T1 WITH JIT FOR COMPAQ |
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