型号: | 2N7002 |
元件分类: | 小信号晶体管 |
英文描述: | 250 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
封装: | ROHS COMPLIANT PACKAGE-3 |
文件页数: | 1/5页 |
文件大小: | 167K |
代理商: | 2N7002 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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2N7007P002 | 65 mA, 240 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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2N7002 215 | 制造商:PHILIPS-SEMI 功能描述: |
2N7002 BK | 功能描述:MOSFET N-CH 60V 0.115A SOT-23 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):115mA(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):7.5 欧姆 @ 500mA,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):0.59nC(4.5V) 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):50pF @ 25V 功率 - 最大值:350mW 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23 标准包装:3,500 |
2N7002 H6327 | 功能描述:MOSFET N-Channel 60V MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
2N7002 L6327 | 功能描述:MOSFET N-KANAL SML SIG MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |