- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录49883 > 2N7002 250 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET PDF资料下载
参数资料
| 型号： | 2N7002 |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 250 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 封装： | ROHS COMPLIANT PACKAGE-3 |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 167K |
| 代理商： | 2N7002 |
PAGE . 3
REV.0.1-FEB.3.2009
2N7002
Fig. 1-TYPICAL FORWARD CHARACTERISTIC
FIG.1- Output Characteristic
Typical Characteristics Curves (T =25 C,unless otherwise noted)
A
O
FIG.2- Transfer Characteristic
FIG.3- On Resistance vs Drain Current
FIG.4- On Resistance vs Gate to Source Voltage
FIG.5- On Resistance vs Junction Temperature
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
01
23
45
VDS - Drain-to-Source Voltage (V)
I D
-
D
ra
in
-to
-S
o
u
rc
e
C
u
rr
e
n
t
(A
)
V = 10V ~ 6.0V
GS
4.0V
3.0V
5.0V
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
01
234
56
VGS - Gate-to-Source Voltage (V)
ID
-
D
ra
in
S
o
u
rc
e
C
u
rre
n
t
(A
)
V =10V
DS
V =10V
DS
V =10V
DS
T =25 C
J
O
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
2
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
TJ - Junction Temperature (
oC)
R
DS
(O
N)
-
O
n-
R
e
s
is
tanc
e(
N
o
rm
al
iz
ed)
V =10V
I =500mA
GS
D
0
2
4
6
8
10
23
45
67
89
10
VGS - Gate-to-Source Voltage (V)
I =500mA
D
T =125 C
J
O
T =25 C
J
O
R
-On-Resistance
(
)
DS(ON)
W
0
1
2
3
4
5
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
ID - Drain Current (A)
V =10V
GS
V =4.5V
GS
R
-On-Resistance
(
)
DS(ON)
W
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N7007P002 | 65 mA, 240 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92 |
| 2N7007P013 | 65 mA, 240 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92 |
| 2N7007P018 | 65 mA, 240 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92 |
| 2N7007P006 | 65 mA, 240 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92 |
| 2N7007P008 | 65 mA, 240 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2N7002 _R1 _00001 | 制造商:PanJit Touch Screens 功能描述: |
| 2N7002 215 | 制造商:PHILIPS-SEMI 功能描述: |
| 2N7002 BK | 功能描述:MOSFET N-CH 60V 0.115A SOT-23 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:115mA（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:7.5 欧姆 @ 500mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:0.59nC(4.5V) 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:50pF @ 25V 功率 - 最大值:350mW 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23 标准包装:3,500 |
| 2N7002 H6327 | 功能描述:MOSFET N-Channel 60V MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| 2N7002 L6327 | 功能描述:MOSFET N-KANAL SML SIG MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。