- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录55784 > 2N7002 200 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET PDF资料下载
参数资料
| 型号： | 2N7002 |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 200 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 封装： | SOT-23, 3 PIN |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 89K |
| 代理商： | 2N7002 |
VOLTAGE 60 Volts
CURRENT 200 mAmp
N-channel enhancement mode field effect transistor,de-
signed for high speed pulse amplifier and drive applica-
tion,which is manufactured by the N-channel DMOS pr-
ocess.
High density cell design for low RDS(ON)
Voltage controlled small signal switching.
Rugged and reliabale.
High saturation current capability.
High-speed switching.CMOS logic compatible.
CMOS logic compatible input.
Not thermal runaway.
No secondary breakdown.
TA=25
Unless otherwise noted
PARAMETER
SYMBOL
Value
UNIT
Drain-Source Voltage
VDSS
60
V
Drain-gate Voltage
VDRG
60
V
Gate-Source Voltage
VGSS
20
V
Maximum Drain Current-Continue
-Pulse
ID
200
800
mA
Maximum power Dissipation Derating Above 25
PD
350
mW
Operating and Storage Temperature Range
TJ,TSTG
-55 to +150
Thermal Risistance,Junction-to-Ambient
R JA
357
/W
2N7002
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
FEATURE
MECHANICS DATA
ABSOLUTE MAXIMUM RATING
DATA SHEET
PAGE .
1
STAD-SEP.14.2004
.119(3.00)
.056
(1.40
)
.083(2.10)
.006(.15)
.047
(1.20
)
.110(2.80)
.066(1.70)
.035
(.90
)
.020(.50)
.013(.35)
.006(.15) MAX.
.103
(2.60
)
.086
(2.20
)
.044
(1.10
)
.002(.05)
.007
(.20
)MIN.
SOT-23
Unit: inch ( mm )
3
1
G
To
pV
iew
S
D
2
(Note1)
Note:
1.Pulse Test: Pulse Width <300 us, Duty Cycle <2.0%.
Both normal and Pb free product are available :
Normal : 80~95% Sn, 5~20% Pb
Pb free: 98.5% Sn above
Marking Code: S72
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N7002 | 115 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AA |
| 2N7002 | 115 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 2N706 | 200 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-18 |
| 2N3011 | 500 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-18 |
| 2N706 | Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-206AA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2N7002 _R1 _00001 | 制造商:PanJit Touch Screens 功能描述: |
| 2N7002 215 | 制造商:PHILIPS-SEMI 功能描述: |
| 2N7002 BK | 功能描述:MOSFET N-CH 60V 0.115A SOT-23 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:115mA（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:7.5 欧姆 @ 500mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:0.59nC(4.5V) 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:50pF @ 25V 功率 - 最大值:350mW 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23 标准包装:3,500 |
| 2N7002 H6327 | 功能描述:MOSFET N-Channel 60V MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| 2N7002 L6327 | 功能描述:MOSFET N-KANAL SML SIG MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。