- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录55784 > 2N7002 (LITE-ON SEMICONDUCTOR CORP) 115 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET PDF资料下载
参数资料
| 型号： | 2N7002 |
| 厂商： | LITE-ON SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 115 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 文件页数： | 1/3页 |
| 文件大小： | 27K |
| 代理商： | 2N7002 |
DS11303 Rev. J-2
1 of 3
2N7002
2N7002
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
Features
Low On-Resistance: RDS(ON)
Low Gate Threshold Voltage
Low Input Capacitance
Fast Switching Speed
Low Input/Output Leakage
Maximum Ratings
@ TA = 25°C unless otherwise specified
Characteristic
Symbol
Value
Units
Drain-Source Voltage
VDSS
60
V
Drain-Gate Voltage RGS
≤ 1.0M
VDGR
60
V
Gate-Source Voltage
Continuous
Pulsed
VGSS
±20
±40
V
Drain Current (Note 1)
Continuous
Continuous @ 100°C
Pulsed
ID
115
73
800
mA
Total Power Dissipation (Note 1)
Derating above TA = 25°C
Pd
200
1.60
mW
mW/°C
Thermal Resistance, Junction to Ambient
RθJA
625
K/W
Operating and Storage Temperature Range
Tj,TSTG
-55 to +150
°C
Note: 1. Valid provided that terminals are kept at specified ambient temperature.
2. Pulse width
≤ 300s, duty cycle ≤ 2%.
Case: SOT-23, Molded Plastic
Terminals: Solderable per MIL-STD-202,
Method 208
Terminal Connections: See Diagram
Marking: K72, K7A
Weight: 0.008 grams (approx.)
Mechanical Data
A
E
J
L
M
B
C
H
G
D
K
TOP VIEW
D
S
G
SOT-23
Dim
Min
Max
A
0.37
0.51
B
1.19
1.40
C
2.10
2.50
D
0.89
1.05
E
0.45
0.61
G
1.78
2.05
H
2.65
3.05
J
0.013
0.15
K
0.89
1.10
L
0.45
0.61
M
0.076
0.178
All Dimensions in mm
POWER SEMICONDUCTOR
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N706 | 200 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-18 |
| 2N3011 | 500 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-18 |
| 2N706 | Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-206AA |
| 2N7082-2 | 9 A, 200 V, 0.3 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-257AB |
| 2N708 | 15 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-206AA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2N7002 _R1 _00001 | 制造商:PanJit Touch Screens 功能描述: |
| 2N7002 215 | 制造商:PHILIPS-SEMI 功能描述: |
| 2N7002 BK | 功能描述:MOSFET N-CH 60V 0.115A SOT-23 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:115mA（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:7.5 欧姆 @ 500mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:0.59nC(4.5V) 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:50pF @ 25V 功率 - 最大值:350mW 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23 标准包装:3,500 |
| 2N7002 H6327 | 功能描述:MOSFET N-Channel 60V MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| 2N7002 L6327 | 功能描述:MOSFET N-KANAL SML SIG MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。