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参数资料
| 型号： | 2N7002FT/R |
| 厂商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 475 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB |
| 封装： | PLASTIC, SOT-23, 3 PIN |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 93K |
| 代理商： | 2N7002FT/R |
2SA1291 / 2SC3255
No.1201-2/4
Continued from preceding page.
Ratings
Parameter
Symbol
Conditions
min
typ
max
Unit
Gain-Bandwidth Product
fT
VCE=(--)5V, IC=(--)1A
100
MHz
Collector-to-Emitter Saturation Voltage
VCE(sat)
IC=(--)5A, IB=(--)0.25A
(--)0.4
V
Collector-to-Base Breakdown Voltage
V(BR)CBO
IC=(--)1mA, IE=0A
(--)80
V
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage
V(BR)CEO
IC=(--)1mA, RBE=∞
(--)60
V
Emitter-to-Base Breakdown Voltage
V(BR)EBO
IE=(--)1mA, IC=0A
(--)5
V
Turn-On Time
ton
See specified Test Circuit.
0.1
s
Storage Time
tstg
See specified Test Circuit.
0.5
s
Fall Time
tf
See specified Test Circuit.
0.1
s
Package Dimensions
Switching Time Test Circuit
unit : mm (typ)
7507-001
IC -- VBE
Base-to-Emitter Voltage, VBE -- V
Collector
Current,
I
C
-
A
Base-to-Emitter Voltage, VBE -- V
Collector
Current,
I
C
-
A
ITR03195
--0.2
--0.4
--0.6
--0.8
--1.0
--1.2
0
--2
--4
--6
--8
--10
--12
ITR03196
1.0
1.2
0.6
0.8
0.2
0.4
0
2
4
6
8
10
12
2SA1291
VCE= --2V
2SC3255
VCE=2V
T
a=120
°C
25
°C
--40
°C
T
a=120
°C
25
°C
--40
°C
10.2
5.1
4.5
1.3
15.1
14.0
2.7
6.3
3.6
18.0
(5.6)
2.7
1.2
0.8
0.4
2.55
12
3
1 : Base
2 : Collector
3 : Emitter
SANYO : TO-220
PW=20
s
D.C.
≤1%
INPUT
VCC=20V
50
RB
4
IB1
IB2
100
F
470
F
VBE= --5V
VR
+
RL
OUTPUT
20IB1= --20IB2=IC=5A
For PNP, the polarity is reversed.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
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| 2N7002H6327 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述: 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: |
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