| 型号: | 2N7002G-AL3-R |
| 厂商: | UNISONIC TECHNOLOGIES CO LTD |
| 元件分类: | 小信号晶体管 |
| 英文描述: | 300 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 封装: | HALOGEN FREE PACKAGE-3 |
| 文件页数: | 5/6页 |
| 文件大小: | 246K |
| 代理商: | 2N7002G-AL3-R |

相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N7002KTB | 115 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 2N7002KW | 115 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 2N7002LG-AE2-R | 115 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236 |
| 2N7002TRLEADFREE | 115 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 2N7002BK | 115 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2N7002H-13 | 功能描述:MOSFET N-CH 60V 0.17A SOT23 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):170mA(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):7.5 欧姆 @ 50mA,5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):0.35nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):26pF @ 25V 功率 - 最大值:370mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23 标准包装:10,000 |
| 2N7002H6327 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述: 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: |
| 2N7002H6327XT | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:N-KAN 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET 2N-CH 60V 0.3A SOT363 |
| 2N7002H6327XTSA2 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:2N7002H6327XT 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:N-KANAL SMALL SIGNAL MOS - Tape and Reel |
| 2N7002H-7 | 功能描述:MOSFET N-CH 60V 0.17A SOT23-3 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):170mA(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):7.5 欧姆 @ 50mA,5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):0.35nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):26pF @ 25V 功率 - 最大值:370mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23 标准包装:1 |