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参数资料
| 型号： | 2N7002G-AL6-R |
| 厂商： | UNISONIC TECHNOLOGIES CO LTD |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 300 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 封装： | HALOGEN FREE PACKAGE-6 |
| 文件页数： | 2/6页 |
| 文件大小： | 246K |
| 代理商： | 2N7002G-AL6-R |
2N7002
Power MOSFET
UNISONICTECHNOLOGIESCO.,LTD
2 of 6
www.unisonic.com.tw
QW-R206-037,H
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25°C unless otherwise noted.)
PARAMETER
SYMBOL
RATINGS
UNIT
Drain-Source Voltage
VDSS
60
V
Drain-Gate Voltage (RGS ≤1M)
VDGR
60
V
Continuous
±20
Gate Source Voltage
Non Repetitive(tp<50
μs)
VGSS
±40
V
Continuous
300
Drain Current
Pulsed
ID
800
mA
Power Dissipation
Derated Above 25
°C
PD
200
1.6
mW
mW/
°C
Junction Temperature
TJ
+ 150
°C
Storage Temperature
TSTG
-55 ~ +150
°C
Note: Absolute maximum ratings are those values beyond which the device could be permanently damaged.
Absolute maximum ratings are stress ratings only and functional device operation is not implied.
THERMAL CHARACTERISTICS
PARAMETER
SYMBOL
RATINGS
UNIT
Junction to Ambient
θJA
625
°C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA=25°C, unless otherwise specified)
PARAMETER
SYMBOL
TEST CONDITIONS
MIN
TYP
MAX UNIT
OFF CHARACTERISTICS
Drain-Source Breakdown Voltage
BVDSS
VGS=0V, ID=10μA
60
V
Drain-Source Leakage Current
IDSS
VDS=60V, VGS =0V
1
μA
IGSSF
VGS =20V, VDS=0V
100
nA
Gate-Source Leakage Current
IGSSR
VGS =-20V, VDS=0V
-100
nA
ON CHARACTERISTICS
(Note)
Gate Threshold Voltage
VGS(TH)
VGS = VDS, ID=250μA
1
2.1
2.5
V
VGS = 10V, ID=500mA
0.6
3.75
Drain-Source On-Voltage
VDS (ON)
VGS = 5.0V, ID=50mA
0.09
1.5
V
On-State Drain Current
ID(ON)
VGS=10V,VDS≥2VDS(ON)
500
2700
mA
VGS =10V, ID=500mA
1.2
3.5
Static Drain-Source On-Resistance
RDS (ON)
VGS =5.0V, ID=50mA
1.7
7.5
DYNAMIC CHARACTERISTICS
Input Capacitance
CISS
VDS=25V,VGS=0V,f=1.0MHz
20
50
pF
Output Capacitance
COSS
11
25
pF
Reverse Transfer Capacitance
CRSS
4
5
pF
Turn-On Time
tON
VDD=30V, RL=150
ID=200mA, VGS =10V
RGEN =25
20
nS
Turn-Off Time
tOFF
VDD=30V, RL=25
ID=200mA, VGS=10V
RGEN =25
20
nS
DRAIN-SOURCE DIODE CHARACTERISTICS AND MAXIMUM RATINGS
Drain-Source Diode Forward Voltage
VSD
VGS=0V, Is=115mA (Note )
0.88
1.5
V
Maximum Pulsed Drain-Source Diode
Forward Current
ISM
0.8
A
Maximum Continuous Drain-Source
Diode Forward Current
Is
115
mA
Note: Pulse Test: Pulse Width≤300μs, Duty Cycle≤2.0%
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N7002G-AL3-R | 300 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 2N7002KTB | 115 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 2N7002KW | 115 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 2N7002LG-AE2-R | 115 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236 |
| 2N7002TRLEADFREE | 115 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2N7002H-13 | 功能描述:MOSFET N-CH 60V 0.17A SOT23 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:带卷（TR） 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:170mA（Ta） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:7.5 欧姆 @ 50mA，5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:0.35nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:26pF @ 25V 功率 - 最大值:370mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23 标准包装:10,000 |
| 2N7002H6327 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述: 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: |
| 2N7002H6327XT | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:N-KAN 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET 2N-CH 60V 0.3A SOT363 |
| 2N7002H6327XTSA2 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:2N7002H6327XT 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:N-KANAL SMALL SIGNAL MOS - Tape and Reel |
| 2N7002H-7 | 功能描述:MOSFET N-CH 60V 0.17A SOT23-3 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:170mA（Ta） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:7.5 欧姆 @ 50mA，5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:0.35nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:26pF @ 25V 功率 - 最大值:370mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23 标准包装:1 |
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