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参数资料
| 型号： | 2N7002G-AL6-R |
| 厂商： | UNISONIC TECHNOLOGIES CO LTD |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 300 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 封装： | HALOGEN FREE PACKAGE-6 |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 246K |
| 代理商： | 2N7002G-AL6-R |
2N7002
Power MOSFET
UNISONICTECHNOLOGIESCO.,LTD
4 of 6
www.unisonic.com.tw
QW-R206-037,H
TYPICAL CHARACTERISTICS
0
5
4
3
2
1
1.5
1
0.5
0
2
3.0V
2
1.6
1.2
0.8
0.4
VGS=4.0V
3
2.5
2
1.5
1
0
0.5
Dr
ai
n-
So
urc
e
C
urre
nt
,I
D
(A
)
Drain-Source Voltage, VDS(V)
VGS=10V
4.0V
5.0V
6.0V
7.0V
8.0V
9.0V
On-Resistance Characteristics
Norm
ali
zed
Drai
n-So
urc
e
ON
-R
es
ist
anc
e,
R
DS
(O
N)
Drain Current, ID (A)
On-Resistance Varisation with Gate
Voltage and Drain Current
4.5V
5.0V
6.0V
7.0V
8.0V
9.0V
10V
100
75
0
-25
2
1.5
1
-50
0.5
1.6
1.2
0.8
0.4
VGS=10V
3
2.5
2
1.5
1
0
0.5
25
50
150
125
0.75
1.25
1.75
2
0
TJ =125℃
25℃
Norm
ali
zed
D
rai
n-S
o
urce
O
N
-
R
esi
sta
nce
,R
DS
(O
N
)
Junction Temperature, TJ (°C)
On-Resistance Varisation with Temperature
VGS=10V
ID=500mA
Normalized
Dr
ain-Source
ON-
Resistance,
R
DS
(O
N)
Drain Current,ID (A)
On-Resistance Varisation with Drain
Current and Temperature
0
10
8
6
4
2
100
75
0
-25
-50
25
50
125
1.6
1.2
1.8
0.4
2
0
150
1.1
1.05
1
0.95
0.9
0.85
0.8
Dr
ai
nC
ur
ren
t,I
D
(A
)
Gate to Source Voltage, VGS (V)
Transfer Characteristics
VDS=10V
25℃
125℃
No
rm
al
ized
Gate
-So
urce
Th
resh
ol
d
Vo
lta
ge,
V
GS
(T
H
)
Junction Temperature, TJ (°C)
Gate Threshold Varisation with Temperature
VGS = VDS
ID = 1mA
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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