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参数资料
| 型号： | 2N7002KTB |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 115 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 封装： | ROHS COMPLIANT PACKAGE-3 |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 111K |
| 代理商： | 2N7002KTB |
PAGE . 4
August 11.2010-REV.01
2N7002KTB
Fig.6 - Gate Charge Waveform
Fig.8 - Threshold Voltage vs Temperature
Fig.7 - Gate Charge
Fig.9 - Breakdown Voltage vs Junction Temperature
Fig.10 - Source-Drain Diode Forward Voltage
Qgd
Qgs
Qg
Qsw
Vgs(th)
Vgs
Qg
Qg(th)
0
2
4
6
8
10
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
Qg -GateCharge(nC)
V
GS
-
G
a
te
-to
-S
o
u
rc
e
V
o
lta
g
e
(V
)
V =10V
I =250mA
DS
D
72
74
76
78
80
82
84
86
88
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
TJ - Junction Temperature (
oC)
BV
DS
S
-
B
re
a
k
dow
n
V
ol
ta
ge
(V
)
ID = 250uA
0.7
0.8
0.9
1
1.1
1.2
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
TJ - Junction Temperature (
oC)
V
th
-
G
-S
Thre
s
hold
V
olt
a
ge
(N
O
R
MALIZE
D)
ID =250
mA
0.01
0.1
1
10
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
VSD - Source-to-Drain Voltage (V)
IS
-
S
o
u
rce
C
u
rren
t
(A
)
V =0V
GS
T =125
J
℃
25
℃
-55
℃
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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