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参数资料
| 型号： | 2N7002TA |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3 |
| 其它图纸： | SOT-23 SOT-23 Top |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 115mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 7.5 欧姆 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 50pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 330mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SOT-23-3 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1473 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | 2N7002DKR |
2N7002
60V SOT23 N-channel enhancement mode MOSFET
Summary
V (BR)DSS
60
R DS(on) ( )
7.5 @ V GS = 10V
7.5 @ V GS = 5V
I D (A)
0.5
0.05
Description
A small signal MOSFET for general purpose switching applications.
Features
?
?
?
Fast switching speed
Low gate drive capability
SOT23 package
G
D
Applications
?
General switching applications
S
Ordering information
S
Device
2N7002
Device marking
702
Reel size
(inches)
7
Tape width
(mm)
8
Quantity per reel
3,000
D
Top view
G
Issue 5 - October 2007
? Zetex Semiconductors plc 2007
1
www.zetex.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ABJ3638409 | SWITCH TURQ SPST LEAF SILV WIRE |
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| D2SW-P2M | SUBMINIATURE BASIC SWITCH |
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| 1166-24-0 | ALLIGATOR CLIP/BANA PLUG 24" BLK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2N7002-TA | 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 60V 0.115A 3PIN TO-236 - Tape and Reel |
| 2N7002TC | 功能描述:MOSFET N Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| 2N7002TG-AN3-R | 制造商:UTC-IC 制造商全称:UTC-IC 功能描述:300mA, 60V N-CHANNEL POWER MOSFET |
| 2N7002TL-AN3-R | 制造商:UTC-IC 制造商全称:UTC-IC 功能描述:300mA, 60V N-CHANNEL POWER MOSFET |
| 2N7002-TP | 功能描述:MOSFET 60V, 115mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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