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参数资料
| 型号： | 2N7002TA |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3 |
| 其它图纸： | SOT-23 SOT-23 Top |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 115mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 7.5 欧姆 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 50pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 330mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SOT-23-3 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1473 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | 2N7002DKR |
2N7002
Absolute maximum ratings
Parameter
Drain-source voltage
Continuous drain current at T amb =25°C
Pulsed drain current
Gate-source voltage
Power dissipation at T amb =25°C
Operating and storage temperature range
Symbol
V DS
I D
I DM
V GS
P tot
T j , T stg
Limit
60
115
800
±40
330
-55 to +150
Unit
V
mA
mA
V
mW
°C
Electrical characteristics (at T amb = 25°C unless otherwise stated)
Parameter
Symbol
Min.
Max.
Unit
Conditions
Drain-source breakdown voltage BV DSS
60
V
I D = 10 A, V GS =0V
Gate-source threshold voltage
Gate-body leakage
Zero gate voltage drain current
V GS(th)
I GSS
I DSS
1
2.5
10
1
V
nA
A
I D = 250 A, V DS =V GS
V GS =±20V, V DS =0V
V DS = 48V, V GS =0V
500
A
V DS = 48V, V GS =0V, T=125°C
On-state drain current (a)
Static drain-source on-state
voltage (a)
Static drain-source on-state
resistance (a)
Forward transconductance (a)(b)
Input capacitance (b)
Common source output
capacitance (b)
Reverse transfer capacitance (b)
Turn-on time (b)(c)
Turn-off time (b)(c)
I D(on)
V DS(on)
R DS(on)
g fs
C iss
C oss
C rss
t (on)
t (off)
500
80
3.75
375
7.5
7.5
50
25
5
20
20
mA
V
mV
mS
pF
pF
pF
ns
ns
V DS = 25V, V GS = 10V
V GS = 10V, I D = 500mA
V GS = 5V, I D = 50mA
V GS = 10V, I D = 500mA
V GS = 5V, I D = 50mA
V DS = 25V, I D = 500mA
V DS = 25V, V GS =0V f=1MHz
V DD ≈ 30V, I D = 200mA,
R g =25 , R L =150
NOTES:
(a) Measured under pulsed conditions. Pulse width
(b) Sample test.
300 s; duty cycle
2%.
(c) Switching times measured with 50
source impedance and <5ns rise time on a pulse generator
Spice parameter data is available upon request for this device.
Issue 5 - October 2007
? Zetex Semiconductors plc 2007
2
www.zetex.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ABJ3638409 | SWITCH TURQ SPST LEAF SILV WIRE |
| ABJ1614609 | SWITCH TURQ SPDT 2A SIMROLL WIRE |
| D2SW-P2M | SUBMINIATURE BASIC SWITCH |
| B634SE-2T | MOD DIODE SCR 42.5A 480VAC |
| 1166-24-0 | ALLIGATOR CLIP/BANA PLUG 24" BLK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2N7002-TA | 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 60V 0.115A 3PIN TO-236 - Tape and Reel |
| 2N7002TC | 功能描述:MOSFET N Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| 2N7002TG-AN3-R | 制造商:UTC-IC 制造商全称:UTC-IC 功能描述:300mA, 60V N-CHANNEL POWER MOSFET |
| 2N7002TL-AN3-R | 制造商:UTC-IC 制造商全称:UTC-IC 功能描述:300mA, 60V N-CHANNEL POWER MOSFET |
| 2N7002-TP | 功能描述:MOSFET 60V, 115mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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