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参数资料
| 型号： | 2N7002W-7-F |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 115MA SOT323 |
| 产品变化通告： | Copper Bond Wire Change 3/May/2011 |
| 其它图纸： | SOT-323 Package Top SOT-323 Package Side 1 SOT-323 Package Side 2 |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 115mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 7.5 欧姆 @ 50mA，5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2V @ 250µA |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 50pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 200mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SC-70，SOT-323 |
| 供应商设备封装： | SOT-323 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 产品目录页面： | 1577 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | 2N7002W-FDITR |
2N7002W
1.0
7
6
0.8
5
0.6
0.4
4
3
2
0.2
1
0
0
1
2
3
4
5
0
0
0.2
0.4 0.6 0.8
1.0
3.5
3.0
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 1 On-Region Characteristics
6
5
I D , DRAIN CURRENT (A)
Fig. 2 On-Resistance vs. Drain Current
2.5
4
2.0
3
1.5
1.0
0.5
2
1
0.0
-55
-30 -5 20 45 70 95 120 145 170
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Fig. 3 On-Resistance vs. Junction Temperature
0
0
2 4 6 8 10 12 14 16 18
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 4 On-Resistance vs. Gate-Source Voltage
Package Outline Dimensions
A
SOT-323
Dim Min Max
K
TOP VIEW
G
H
B C
M
A
B
C
D
F
G
H
J
K
0.25 0.40
1.15 1.35
2.00 2.20
0.65 Nominal
0.30 0.40
1.20 1.40
1.80 2.20
0.0 0.10
0.90 1.00
J
D
F
L
L
M
0.25 0.40
0.10 0.18
??
0° 8°
All Dimensions in mm
2N7002W
Document number: DS30099 Rev. 14 - 2
3 of 4
www.diodes.com
September 2013
? Diodes Incorporated
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PDF描述 |
|---|---|
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参数描述 |
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