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参数资料
| 型号： | 2PA1015Y-T/R |
| 厂商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 150 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 文件页数： | 1/6页 |
| 文件大小： | 50K |
| 代理商： | 2PA1015Y-T/R |
DATA SHEET
Product specication
Supersedes data of 1999 Apr 08
2004 Oct 11
DISCRETE SEMICONDUCTORS
2PA1015
PNP general purpose transistor
book, halfpage
M3D186
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2PA1015GR-T/R | 150 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 2PA1576T/R | 100 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2PA733K-T/R | 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 2PA733Q-T/R | 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 2PA733Q-AMMO | 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2PA1576 | 制造商:PHILIPS 制造商全称:NXP Semiconductors 功能描述:PNP general-purpose transistor |
| 2PA1576Q | 制造商:PHILIPS 制造商全称:NXP Semiconductors 功能描述:PNP general purpose transistor |
| 2PA1576Q /T3 | 功能描述:两极晶体管 - BJT TRANS GP TAPE-11 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2PA1576Q T/R | 功能描述:两极晶体管 - BJT TRANS GP TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2PA1576Q,115 | 功能描述:两极晶体管 - BJT TRANS GP TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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