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参数资料
| 型号： | 2PA1015Y-T/R |
| 厂商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 150 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 文件页数： | 2/6页 |
| 文件大小： | 50K |
| 代理商： | 2PA1015Y-T/R |
2004 Oct 11
2
Philips Semiconductors
Product specication
PNP general purpose transistor
2PA1015
FEATURES
Low current (max. 150 mA)
Low voltage (max. 50 V).
APPLICATIONS
General purpose switching and amplification.
DESCRIPTION
PNP transistor in a plastic TO-92; SOT54 package.
NPN complement: 2PC1815.
PINNING
PIN
DESCRIPTION
1
base
2
collector
3
emitter
Fig.1
Simplified outline (TO-92; SOT54)
and symbol.
handbook, halfpage1
3
2
MAM285
2
1
3
ORDERING INFORMATION
LIMITING VALUES
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 60134).
Note
1. Transistor mounted on an FR4 printed-circuit board.
TYPE NUMBER
PACKAGE
NAME
DESCRIPTION
VERSION
2PA1015Y
SC-43A
plastic single-ended leaded (through hole) package; 3 leads
SOT54
2PA1015GR
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
MAX.
UNIT
VCBO
collector-base voltage
open emitter
50
V
VCEO
collector-emitter voltage
open base
50
V
VEBO
emitter-base voltage
open collector
5V
IC
collector current (DC)
150
mA
ICM
peak collector current
200
mA
IBM
peak base current
200
mA
Ptot
total power dissipation
500
mW
Tstg
storage temperature
65
+150
°C
Tj
junction temperature
150
°C
Tamb
ambient temperature
65
+150
°C
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2PA1015GR-T/R | 150 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 2PA1576T/R | 100 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2PA733K-T/R | 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 2PA733Q-T/R | 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 2PA733Q-AMMO | 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2PA1576 | 制造商:PHILIPS 制造商全称:NXP Semiconductors 功能描述:PNP general-purpose transistor |
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| 2PA1576Q T/R | 功能描述:两极晶体管 - BJT TRANS GP TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2PA1576Q,115 | 功能描述:两极晶体管 - BJT TRANS GP TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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