型号: | 2PB710ARL/DG |
厂商: | NXP SEMICONDUCTORS |
元件分类: | 小信号晶体管 |
英文描述: | SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
封装: | PLASTIC PACKAGE-3 |
文件页数: | 1/9页 |
文件大小: | 57K |
代理商: | 2PB710ARL/DG |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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2PB710ASL/DG | SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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2PB710AS | 制造商:PHILIPS 制造商全称:NXP Semiconductors 功能描述:PNP general purpose transistor |
2PB710AS,115 | 功能描述:两极晶体管 - BJT TRANS GP TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
2PB710ASL | 制造商:PHILIPS 制造商全称:NXP Semiconductors 功能描述:50 V, 500 mA PNP general-purpose transistors |
2PB710ASL,215 | 功能描述:两极晶体管 - BJT 50V 500MA PNP GEN-PURPOSE TRAN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
2PB710ASL,235 | 功能描述:两极晶体管 - BJT Trans GP BJT PNP 50V 0.5A 3-Pin RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |