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参数资料
| 型号： | 2PC4617QT/R |
| 厂商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 150 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | PLASTIC, SC-75, 3 PIN |
| 文件页数： | 4/7页 |
| 文件大小： | 83K |
| 代理商： | 2PC4617QT/R |
2PC4617_5
NXP B.V. 2009. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 05 — 17 November 2009
4 of 7
NXP Semiconductors
2PC4617
NPN general-purpose transistor
8.
Package outline
Fig 1.
Package outline SOT416 (SC-75)
UNIT
A1
max
bp
cD
E
e1
HE
Lp
Qw
REFERENCES
OUTLINE
VERSION
EUROPEAN
PROJECTION
ISSUE DATE
IEC
JEDEC
JEITA
mm
0.1
0.30
0.15
0.25
0.10
1.8
1.4
0.9
0.7
0.5
e
1
1.75
1.45
0.2
v
0.2
DIMENSIONS (mm are the original dimensions)
0.45
0.15
0.23
0.13
SOT416
SC-75
w M
bp
D
e1
e
A
A1
Lp
Q
detail X
HE
E
A
B
v M A
0
0.5
1 mm
scale
A
0.95
0.60
c
X
12
3
Plastic surface-mounted package; 3 leads
SOT416
04-11-04
06-03-16
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2PD602AS/T4 | 500 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236 |
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| 2PG351 | 5 A, 400 V, N-CHANNEL IGBT |
| 2S036 | 3 A, 150 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-204AA |
| 2S104G4 | 50 mA, 45 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-206AA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| 2PC4617R T/R | 功能描述:两极晶体管 - BJT TRANS GP TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2PC4617R,115 | 功能描述:两极晶体管 - BJT TRANS GP TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2PC4617R,135 | 功能描述:两极晶体管 - BJT TRANS GP TAPE-11 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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