参数资料
型号: 2PC4617QT/R
厂商: NXP SEMICONDUCTORS
元件分类: 小信号晶体管
英文描述: 150 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封装: PLASTIC, SC-75, 3 PIN
文件页数: 7/7页
文件大小: 83K
代理商: 2PC4617QT/R
NXP Semiconductors
2PC4617
NPN general-purpose transistor
NXP B.V. 2009.
All rights reserved.
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Date of release: 17 November 2009
Document identifier: 2PC4617_5
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12. Contents
相关PDF资料
PDF描述
2PD602AS/T4 500 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236
2PG301 20 A, 400 V, N-CHANNEL IGBT
2PG351 5 A, 400 V, N-CHANNEL IGBT
2S036 3 A, 150 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-204AA
2S104G4 50 mA, 45 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-206AA
相关代理商/技术参数
参数描述
2PC4617R 制造商:PHILIPS 制造商全称:NXP Semiconductors 功能描述:NPN general purpose transistor
2PC4617R /T3 功能描述:两极晶体管 - BJT TRANS GP TAPE-11 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2PC4617R T/R 功能描述:两极晶体管 - BJT TRANS GP TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2PC4617R,115 功能描述:两极晶体管 - BJT TRANS GP TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2PC4617R,135 功能描述:两极晶体管 - BJT TRANS GP TAPE-11 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2