| 型号: | 2PD602AQL/DG |
| 厂商: | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分类: | 小信号晶体管 |
| 英文描述: | SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
| 封装: | PLASTIC PACKAGE-3 |
| 文件页数: | 2/9页 |
| 文件大小: | 57K |
| 代理商: | 2PD602AQL/DG |

相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2PG001 | 30 A, 300 V, N-CHANNEL IGBT, TO-220AB |
| 2PG003 | 40 A, 430 V, N-CHANNEL IGBT, TO-220AB |
| 2S033R1 | 3 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-204AA |
| 2S103G4 | 50 mA, 45 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-206AA |
| 2S302A | 100 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-205AA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2PD602AR | 制造商:PHILIPS 制造商全称:NXP Semiconductors 功能描述:NPN general purpose transistor |
| 2PD602AR T/R | 功能描述:两极晶体管 - BJT TRANS GP TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2PD602AR,115 | 功能描述:两极晶体管 - BJT TRANS GP TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2PD602ARL | 制造商:PHILIPS 制造商全称:NXP Semiconductors 功能描述:50 V, 500 mA NPN general-purpose transistors |
| 2PD602ARL,215 | 功能描述:两极晶体管 - BJT 50V 500MA NPN GEN-PURPOSE TRAN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |