- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录41452 > 2SA1084D 100 mA, 90 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 PDF资料下载
参数资料
| 型号： | 2SA1084D |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 100 mA, 90 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 封装： | TO-92(1), 3 PIN |
| 文件页数： | 11/11页 |
| 文件大小： | 92K |
| 代理商： | 2SA1084D |
2SA1083, 2SA1084, 2SA1085
5
DC Current Transfer Ratio vs.
Collector Current
5,000
2,000
1,000
500
200
100
50
–0.1
–1.0
–10
–100
–3
–30
–0.3
Collector Current IC (mA)
DC
current
teransfer
ratio
h
FE
VCE = –12 V
Pulse
Collector to Emitter Saturation
Voltage vs. Collector Current
–1.0
–0.5
–0.2
–0.1
–0.05
–0.02
–0.01
–1
–5
–2
–20
–100
–10
–50
Collector Current IC (mA)
Collector
to
emitter
saturation
voltage
V
CE(sat)
(V)
IC = 10 IB
Base to Emitter Saturation Voltage
vs. Collector Current
–10
–5
–2
–1.0
–0.5
–0.2
–0.1
–1
–5
–2
–20
–100
–10
–50
Collector Current IC (mA)
Base
to
emitter
saturation
voltage
V
BE(sat)
(V)
IC = 10 IB
Gain Bandwidth Product vs.
Collector Current
2,000
1,000
500
200
100
50
20
–1
–5
–20
–100
–2
–10
–50
Collector Current IC (mA)
Gain
bandwidth
product
f
T
(MHz)
VCE = –12 V
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SA1083 | 100 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 2SA1085 | 100 mA, 120 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 2SA1084E | 100 mA, 90 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 2SA1084 | 100 mA, 90 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 2SA1085ERR | 100 mA, 120 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SA1084E | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 90V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-92 |
| 2SA1084ETZ | 功能描述:TRANSISTOR PNP 90V 100MA TO-92 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:1A 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SA1084ETZ-E | 功能描述:TRANSISTOR PNP 90V 100MA TO-92 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:1A 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SA1085 | 制造商:RENESAS 制造商全称:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon PNP Epitaxial |
| 2SA1085D | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 120V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-92 |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。