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参数资料
| 型号： | 2SA1084D |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 100 mA, 90 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 封装： | TO-92(1), 3 PIN |
| 文件页数： | 9/11页 |
| 文件大小： | 92K |
| 代理商： | 2SA1084D |
2SA1083, 2SA1084, 2SA1085
3
Electrical Characteristics (Ta = 25
°C)
2SA1083
2SA1084
2SA1085
Item
Symbol Min
Typ
Max
Min
Typ
Max
Min
Typ
Max
Unit
Test conditions
Collector to base
breakdown voltage
V
(BR)CBO
–60
—
–90
—
–120 —
—
V
I
C = –10 A, IE = 0
Collector to emitter
breakdown voltage
V
(BR)CEO
–60
—
–90
—
–120 —
—
V
I
C = –1 mA,
R
BE = ∞
Emitter to base
breakdown voltage
V
(BR)EBO
–5
—
–5
—
–5
—
V
I
E = –10 A, IC = 0
Collector cutoff current
I
CBO
—
–0.1
—
–0.1
—
–0.1
AV
CB = –50 V, IE = 0
Emitter cutoff current
I
EBO
—
–0.1
—
–0.1
—
–0.1
AV
EB = –2 V, IC = 0
DC current transfer ratio h
FE*
1
250
—
800
250
—
800
250
—
800
V
CE = –12 V,
I
C = –2 mA
Collector to emitter
saturation voltage
V
CE(sat)
—
–0.2
—
–0.2
—
–0.2
V
I
C = –10 mA,
I
B = –1 mA
Base to emitter voltage
V
BE
—
–0.6
—
–0.6 —
—
–0.6 —
V
CE = –12 V,
I
C = –2 mA
Gain bandwidth product f
T
—90
—
—90
—
—90
—
MHz V
CE = –12 V,
I
C = –2 mA
Collector output
capacitance
Cob
—
3.5
—
3.5
—
3.5
—
pF
V
CB = –10 V, IE = 0,
f = 1 MHz
Noise voltage reffered
to input
e
n
—
0.5
—
0.5
—
0.5
—
nV/
√Hz
V
CE = –6V,
I
C = –10 mA,
f = 1 kHz,
R
g = 0, f = 1Hz
Note:
1. The 2SA1083, 2SA1084 and 2SA1085 are grouped by h
FE as follows.
DE
250 to 500
400 to 800
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SA1083 | 100 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 2SA1085 | 100 mA, 120 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 2SA1084E | 100 mA, 90 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 2SA1084 | 100 mA, 90 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 2SA1085ERR | 100 mA, 120 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SA1084E | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 90V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-92 |
| 2SA1084ETZ | 功能描述:TRANSISTOR PNP 90V 100MA TO-92 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:1A 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SA1084ETZ-E | 功能描述:TRANSISTOR PNP 90V 100MA TO-92 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:1A 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SA1085 | 制造商:RENESAS 制造商全称:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon PNP Epitaxial |
| 2SA1085D | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 120V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-92 |
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