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参数资料
| 型号： | 2SA1306B |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 1.5 A, 200 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 81K |
| 代理商： | 2SA1306B |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SA1309AR | 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SA1309S | 100 mA, 25 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SA1309AQ | 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SA1309 | 100 mA, 25 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SA1310T | 100 mA, 55 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SA1309 | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
| 2SA1309A | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY MATS. TRANS. S-TYPE -50V -.1A .3W ECB 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
| 2SA1309A MATS | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:-50V -.1A .3W Ecb 2Sa1309A Matsushita Trans. TO-92Var |
| 2SA1309A0A | 功能描述:TRANS PNP AF AMP 50V 100MA NEW S RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:1A 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SA1309AIRTA | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
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