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参数资料
| 型号： | 2SA1309AR |
| 厂商： | PANASONIC CORP |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | S TYPE PACKAGE-3 |
| 文件页数： | 2/3页 |
| 文件大小： | 222K |
| 代理商： | 2SA1309AR |
Data Sheet PU10211EJ01V0DS
2
2SC3357
THERMAL RESISTANCE
Parameter
Symbol
Value
Unit
Junction to Ambient Resistance
Rth (j-a)
Note
62.5
°C/W
Note Mounted on 16 cm
2
× 0.7 mm (t) ceramic substrate
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = +25
°°°°C)
Parameter
Symbol
Test Conditions
MIN.
TYP.
MAX.
Unit
DC Characteristics
Collector Cut-off Current
ICBO
VCB = 10 V, IE = 0 mA
–
1.0
A
Emitter Cut-off Current
IEBO
VEB = 1.0 V, IC = 0 mA
–
1.0
A
DC Current Gain
hFE
Note 1
VCE = 10 V, IC = 20 mA
50
120
250
–
RF Characteristics
Gain Bandwidth Product
fT
VCE = 10 V, IC = 20 mA
–
6.5
–
GHz
Insertion Power Gain
S21e2 VCE = 10 V, IC = 20 mA, f = 1 GHz
–
9.0
–
dB
Noise Figure (1)
NF
VCE = 10 V, IC = 7 mA, f = 1 GHz
–
1.1
–
dB
Noise Figure (2)
NF
VCE = 10 V, IC = 40 mA, f = 1 GHz
–
1.8
3.0
dB
Reverse Transfer Capacitance
Cre
Note 2
VCB = 10 V, IE = 0 mA, f = 1 MHz
–
0.65
1.0
pF
Notes 1. Pulse measurement: PW
≤ 350
s, Duty Cycle ≤ 2%
2. The emitter terminal and the case shall be connected to the guard terminal of the three-terminal
capacitance bridge.
hFE CLASSIFICATION
Rank
RH
RF
RE
Marking
RH
RF
RE
hFE Value
50 to 100
80 to 160
125 to 250
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SA1309S | 100 mA, 25 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SA1309AQ | 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SA1309 | 100 mA, 25 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SA1310T | 100 mA, 55 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SA1312BLTE85R | 100 mA, 120 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SA1309A-R | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
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| 2SA1309ATA | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
| 2SA1312-BL(TE85L,F | 制造商:Toshiba 功能描述:PNP |
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