参数资料
型号: 2SA1415-TD
元件分类: 小信号晶体管
英文描述: 140 mA, 160 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-243
文件页数: 1/1页
文件大小: 68K
代理商: 2SA1415-TD
相关PDF资料
PDF描述
2SC3645R-TD 140 mA, 160 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-243
2SA1419T-TD 1500 mA, 160 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-243
2SC4080C2-TD 100 mA, 200 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-243
2SA1575F1-TD 100 mA, 200 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-243
2SA1575D1-TD 100 mA, 200 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-243
相关代理商/技术参数
参数描述
2SA1416S-TD-E 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP PNP 1A 100V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2SA1416T-TD-E 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP PNP 1A 100V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2SA1417S-TD-E 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP PNP 2A 100V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2SA1417T-TD-E 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP PNP 2A 100V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2SA1418 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR