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参数资料
| 型号： | 2SA1416-S |
| 厂商： | SANYO SEMICONDUCTOR CO LTD |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 1000 mA, 100 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | ULTRA SMALL, PCP, 3 PIN |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 91K |
| 代理商： | 2SA1416-S |
2SA1416 / 2SC3646
No.2005-3/5
IC -- VCE
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V
Collector
Current,
I
C
-
A
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V
Collector
Current,
I
C
-
A
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V
Collector
Current,
I
C
-
mA
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V
Collector
Current,
I
C
-
mA
hFE -- IC
Collector Current, IC -- A
DC
Current
Gain,
h
FE
Collector Current, IC -- A
DC
Current
Gain,
h
FE
IC -- VBE
Base-to-Emitter Voltage, VBE -- V
Collector
Current,
I
C
-
A
Base-to-Emitter Voltage, VBE -- V
Collector
Current,
I
C
-
A
ITR03526
0--2
--1
--4
--3
--5
2
14
35
0
--0.2
--0.4
--0.6
--0.8
--1.0
0
--100
--300
--200
--400
--500
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
0
100
300
200
400
500
0
ITR03527
10
20
30
40
50
0
ITR03529
ITR03528
--40
--30
--50
--10
--20
0
--15
mA
--20
mA
--30
mA
--25
mA
--10
mA
--5mA
--3mA
--2mA
--1mA
IB=0mA
2SA1416
2SC3646
IB=0mA
2SA1416
15mA
20mA
30mA
25mA
10mA
5mA
3mA
2mA
1mA
--2.5
mA
--2.0mA
--1.5mA
--1.0mA
--0.5mA
IB=0mA
0.5mA
2.5
mA
2.0mA
1.5mA
1.0mA
ITR03533
ITR03532
ITR03530
57
73
2
--0.01
--0.1
57
3
23
2
--1.0
--0.4
--0.2
0
--0.6
--0.8
--1.2
--1.0
0.4
0.2
0
0.6
0.8
1.2
1.0
10
100
1000
5
7
3
2
5
7
3
2
57
73
2
0.01
0.1
57
3
23
2
1.0
10
100
1000
5
7
3
2
5
7
3
2
--0.6
--0.8
0
--0.4
--0.2
--1.0
--1.2
0.6
0.8
0
0.4
0.2
1.0
1.2
ITR03531
2SA1416
VCE=--5V
2SC3646
VCE=5V
2SA1416
VCE=--5V
2SC3646
VCE=5V
--
25
°C
25
°C
T
a=75
°C
--25
°C
25
°C
Ta=75°C
--
25
°C
25
°C
T
a=75
°C
--25
°C
25
°C
Ta=75°C
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SA1416S | 1000 mA, 100 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-243 |
| 2SA1416R | 1000 mA, 100 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-243 |
| 2SC3646R | 1000 mA, 100 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-243 |
| 2SA1416-R | 1000 mA, 100 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC3646T | 1000 mA, 100 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-243 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SA1416S-TD-E | 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP PNP 1A 100V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SA1416T-TD-E | 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP PNP 1A 100V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SA1417S-TD-E | 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP PNP 2A 100V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SA1417T-TD-E | 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP PNP 2A 100V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SA1418 | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
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