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参数资料
| 型号： | 2SA1418S |
| 厂商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 700 mA, 160 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | ULTRA SMALL, PCP, 3 PIN |
| 文件页数： | 2/5页 |
| 文件大小： | 129K |
| 代理商： | 2SA1418S |
2SA1418 / 2SC3648
Rev.0 I Page 2 of 5 I www.onsemi.com
Electrical Characteristics at Ta=25°C
Parameter
Symbol
Conditions
Ratings
Unit
min
typ
max
Collector Cutoff Current
ICBO
VCB=(--)120V, IE=0A
(--)0.1
A
Emitter Cutoff Current
IEBO
VEB=(--)4V, IC=0A
(--)0.1
A
DC Current Gain
hFE1VCE=(--)5V, IC=(--)100mA
100*
400*
hFE2VCE=(--)5V, IC=(--)10mA
90
Gain-Bandwidth Product
fT
VCE=(--)10V, IC=(--)50mA
120
MHz
Output Capacitance
Cob
VCB=(--)10V, f=1MHz
(11)8
pF
Collector-to-Emitter Saturation Voltage
VCE(sat)
IC=(--)250mA, IB=(--)25mA
(--0.2)0.12
(--0.5)0.4
V
Base-to-Emitter Saturation Voltage
VBE(sat)
IC=(--)250mA, IB=(--)25mA
(--)0.85
(--)1.2
V
Collector-to-Base Breakdown Voltage
V(BR)CBO
IC=(--)10A, IE=0A
(--)180
V
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage
V(BR)CEO
IC=(--)1mA, RBE=∞
(--)160
V
Emitter-to-Base Breakdown Voltage
V(BR)EBO
IE=(--)10A, IC=0A
(--)6
V
Turn-ON Time
ton
See specified Test Circuit.
(60)50
ns
Storage Time
tstg
See specified Test Circuit.
(900)1000
ns
Fall Time
tf
See specified Test Circuit.
(60)60
ns
*: The 2SA1418 / 2SC3648 are classified by 100mA hFE as follows:
Rank
R
S
T
hFE
100 to 200
140 to 280
200 to 400
Package Dimensions
Switching Time Test Circuit
unit : mm (typ)
7007B-004
INPUT
100V
50
100F
470F
--5V
IC=20IB1=--20IB2=300mA
(For PNP, the polarity is reversed)
+
VR
PW=20s
D.C.≤1%
333
RB
IB1
IB2
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SA1418R | 700 mA, 160 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SA1419-R | 1500 mA, 160 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SA1419 | 1500 mA, 160 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-243 |
| 2SA1428 | 2000 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SA1428-O | 2000 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SA1418S-TD-E | 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP PNP 0.7A 160V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SA1418T-TD-E | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:BIP PNP 0.7A 160V - Tape and Reel 制造商:ON Semiconductor 功能描述:REEL / BIP PNP 0.7A 160V |
| 2SA1419S-TD-E | 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP PNP 1.5A 160V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SA1419S-TD-H | 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP PNP 1.5A 160V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SA1419T-TD-E | 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP PNP 1.5A 160V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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