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参数资料
| 型号： | 2SA1669 |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | UHF BAND, Si, PNP, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236 |
| 封装： | CP, 3 PIN |
| 文件页数： | 2/5页 |
| 文件大小： | 43K |
| 代理商： | 2SA1669 |
No.2972-2/5
2SA1669
NF Test Circuit
900MHz
C1
to 5pF
C2
to 10pF
C3
to 10pF
C4
to 10pF
C5
to 10pF
L1
W
≈1.5mm, 1≈25mm strip line
L2
W
≈4mm, 1≈25mm strip line
L3
0.5, 1
≈40mm
CH
2t+bead core
OUTPUT
INPUT
2K
CH
L2
L3
L1
C4
C3
C2
C1
C5
VB
VCC
31
0.1
7
2
5
3
2
1.0
10
--1.0
23
5
7
35
7
--10
23
5
7 --100
--1.0
23
5
7
35
7
--10
23
5
7 --100
100
10
2
3
5
7
3
5
7
Cob -- VCB
f T -- IC
hFE -- IC
ITR04065
ITR04064
ITR04066
ITR04067
7
5
--1.0
23
5
72
3
--10
7 --100
7
1.0
3
5
2
3
5
2
0.1
Cre -- VCB
f=1MHz
VCE=--10V
7
5
--1.0
23
5
72
3
--10
7 --100
7
1.0
3
5
2
3
5
2
0.1
f=1MHz
Gain-Bandwidth
Product,
f T
–GHz
Collector Current, IC –mA
DC
Current
Gain,
h
FE
Collector Current, IC –mA
Output
Capacitance,
Cob
–
p
F
Collector-to-Base Voltage, VCB -- V
Re
v
erse
T
ransfer
Capacitance,
Cre
–
p
F
Collector-to-Base Voltage, VCB -- V
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SA1680 | 2000 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 2SA1682-TB | 50 mA, 300 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236 |
| 2SA1698 | 0.07 A, 200 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126 |
| 2SA1699D | 200 mA, 400 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 2SA1699D | 200 mA, 400 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SA1669-TB-E | 功能描述:TRANS PNP 15V 50MA 3CP RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> RF 晶体管 (BJT) 系列:- 产品变化通告:Product Discontinuation 17/Dec/2010 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:4.7V 频率 - 转换:47GHz 噪声系数（dB典型值@频率）:0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz 增益:9dB ~ 31dB 功率 - 最大:160mW 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):160 @ 25mA，3V 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:45mA 安装类型:表面贴装 封装/外壳:4-SMD，扁平引线 供应商设备封装:4-TSFP 包装:Digi-Reel® 其它名称:BFP 740FESD E6327DKR |
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| 2SA1673 | 制造商:Sanken Electric Co Ltd 功能描述:TRANS PNP 180V 15A TO3PF 制造商:Allegro MicroSystems 功能描述:TRANSISTOR PNP TO-3PF |
| 2SA16740SA | 功能描述:TRANS PNP 80VCEO 1A MT-2 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:1A 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SA1679-7000 | 功能描述:两极晶体管 - BJT V=-40 IC=-5 HFE=70 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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