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参数资料
| 型号： | 2SA1700 |
| 厂商： | UNISONIC TECHNOLOGIES CO LTD |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 200 mA, 400 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-252 |
| 封装： | TO-252, 3 PIN |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 188K |
| 代理商： | 2SA1700 |
UTC2SA1700
PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
UTC UNISONIC TECHNOLOGIES CO. LTD
2
QW-R209-009,A
PARAMETER
SYMBOL
TEST CONDITIONS
MIN
TYP
MAX
UNIT
Gain-Bandwidth Product
fT
VCE= -30V,IC= -10mA
70
MHz
Turn-on Time
ton
See test circuit
0.25
s
Turn-off Time
toff
See test circuit
5
s
CLASSIFICATION OF hFE
RANK
D
E
RANGE
60-120
100-200
TEST CIRCUIT(Unit : (resistance : , capacitance : F)
ELECTRICAL CHARACTERISTICS CURVES
I(tot)
mA
-20
0
-40
-60
-0.8
-1.2 -1.4
IC-VBE
Base to Emitter Voltage,VBE-V
C
oll
ec
tor
C
ur
rent,I
c-
m
A
-1.0
-80
-0.2
-0.4
-0.6
-100
-120
VCE= -10V
TA= -30
℃
TA=25
℃
TA=70
℃
7
hFE-Ic
DC
Cu
rr
en
tG
ai
n,
hF
E
5
2
Collector Current,Ic- mA
3
5
7
100
3
5
7
10
VCE= -10V
-1.0 2 3
57
-100
23
5 7
-10
23
TA= -30
℃
TA=25
℃
TA=70
℃
INPUT
OUTPUT
-10IB1= 10IB2=Ic= -50mA
RL=3kΩ,RB=200Ω at Ic= -50mA
PW=20μs
Duty Cycle≦1%
I B 1
I B 2RL
50
VBE= 1V
100μ
+
470μ
+
VR
R B
VCC= -150V
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