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参数资料
| 型号： | 2SA1702R |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 5000 mA, 20 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | NMP, 3 PIN |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 35K |
| 代理商： | 2SA1702R |
No.3091-2/4
2SA1702
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e
S0
1s
n
Switching Time Test Circuit
VR
RB
VCC=--10V
VBE=5V
10IB1= --10IB2= IC=--2A
+
50
INPUT
OUTPUT
RL
100
F
470
F
PW=20
s
IB1
D.C.
≤1%
IB2
--10mA
--20mA
--30mA
--40mA
--50mA
--60mA
--90mA
--100mA
--80mA
--70mA
ITR04229
--5
--4
--3
--1
--2
0
--10mA
--5mA
--20mA
--15mA
--30mA
--35mA
--25mA
--40mA
--5
--4
--3
--1
--2
0
--0.4
--0.8
--1.0
--0.2
--0.6
IC -- VCE
IB=0
ITR04228
0--2
--4
--5
--1
--3
IC -- VCE
IB=0
VCE=--2V
T
a=75
°C
25
°C
--25
°C
--6
--5
--1
--4
--3
--2
0
--0.2
--0.4
--0.6
--0.8
--1.2
--1.0
IC -- VBE
ITR04230
Ta=75
°C
--25
°C
hFE -- IC
VCE=--2V
ITR04231
100
7
1000
7
5
3
2
5
3
2
--1.0
--10
3
25
--0.1
3
25
--0.01
3
25
5
25
°C
Collector
Current,
I C
–A
Collector-to-Emitter Voltage, VCE –V
Collector
Current,
I C
–A
Collector-to-Emitter Voltage, VCE –V
Collector
Current,
I C
–A
Base-to-Emitter Voltage, VBE –V
DC
Current
Gain,
h
FE
Collector Current, IC –A
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SA1702S | 5000 mA, 20 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SA1702 | 5000 mA, 20 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SA1706T | 2000 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC4486S | 2000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SA1706S | 2000 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SA1702S-AN | 制造商:SANYO 功能描述:TRANSISTOR, PNP, 20V, 5A, SC-71 Bulk 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述:TRANSISTOR PNP 20V 5A SC-71 |
| 2SA1704S-AN | 制造商:SANYO 功能描述:TRANSISTOR, PNP, 25V, 2.5A, SC-71 Bulk 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述:TRANSISTOR PNP 25V 2.5A SC-71 |
| 2SA1705S-AN | 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP PNP 1A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SA1705T-AN | 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP PNP 1A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SA1706S-AN | 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP PNP 2A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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