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参数资料
| 型号： | 2SA1702R |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 5000 mA, 20 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | NMP, 3 PIN |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 35K |
| 代理商： | 2SA1702R |
No.3091-3/4
2SA1702
25
53
2
5
3
--0.01
--0.1
--1.0
25
3
--10
7
5
3
2
5
3
2
--10
--100
7
--1000
Ta=--25°C
25
°C
75°C
VCE(sat) -- IC
ITR04234
IC / IB=50
VBE(sat) -- IC
--10
--1.0
7
5
3
2
7
5
3
IC / IB=50
ITR04235
0
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
20
060
40
80
100
140
120
160
PC -- Ta
ITR04237
--1.0
--10
--0.1
5
3
5
3
2
3
2
--1.0
25
33
2
7
--0.1
25
37
--10
10ms
100ms
DC
operation
ICP=–8.0A
IC=–5.0A
Ta=25
°C
Single pulse
ITR04236
A S O
1ms
25
53
2
5
3
--0.01
--0.1
--1.0
25
3
--10
Ta=--25°C
25°C
75°C
VCE=--5V
f T -- IC
3
100
1000
2
5
7
5
3
2
77
25
53
7
25
33
2
--0.01
--0.1
--1.0
ITR04232
Cob -- VCB
3
2
3
2
7
5
10
100
--1.0
73
3
--10
27
55
2
ITR04233
f=1MHz
Output
Capacitance,
Cob
-
pF
Gain-Bandwidth
Product,
f T
–
MHz
Collector Current, IC – A
Collector-to-Base Voltage, VCB -- V
Collector Current, IC – A
Collector-to-Emitter
Saturation
Voltage,
V
CE
(sat)
–
mV
Collector
Dissipation,
P
C
–
W
Ambient Temperature, Ta – C
Collector-to-Emitter Voltage, VCE –V
Collector
Current,
I C
–
A
Collector Current, IC – A
Collector-to-Emitter
Saturation
Voltage,
V
BE
(sat)
–
mV
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SA1702S | 5000 mA, 20 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SA1702 | 5000 mA, 20 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SA1706T | 2000 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC4486S | 2000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SA1706S | 2000 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SA1702S-AN | 制造商:SANYO 功能描述:TRANSISTOR, PNP, 20V, 5A, SC-71 Bulk 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述:TRANSISTOR PNP 20V 5A SC-71 |
| 2SA1704S-AN | 制造商:SANYO 功能描述:TRANSISTOR, PNP, 25V, 2.5A, SC-71 Bulk 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述:TRANSISTOR PNP 25V 2.5A SC-71 |
| 2SA1705S-AN | 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP PNP 1A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SA1705T-AN | 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP PNP 1A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SA1706S-AN | 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP PNP 2A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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