参数资料
型号: 2SA1708-T
厂商: SANYO SEMICONDUCTOR CO LTD
元件分类: 小信号晶体管
英文描述: 1000 mA, 100 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封装: NMP, 3 PIN
文件页数: 3/5页
文件大小: 42K
代理商: 2SA1708-T
No.3094-3/5
2SA1708/2SC4488
2SC4488
f=1MHz
5
2
3
2
5
7
100
10
--10
--100
--1.0
57
72
3
5
7
22
3
Cob -- VCB
ITR04332
2SA1708
f=1MHz
100
10
3
2
7
5
3
2
f T -- IC
2SA1708
VCE= --10V
ITR04330
f T -- IC
2SC4488
VCE=10V
ITR04331
Cob -- VCB
ITR04333
Ta=75°C
25
°C
--25°C
2SC4488
VCE=5V
hFE -- IC
ITR04329
hFE -- IC
100
10
--0.01
1000
7
5
3
2
7
5
3
2
23
5
7
--0.1
72
3
5
7 --1.0
23
2SA1708
VCE= --5V
ITR04328
Ta=75
°C
--25
°C
25
°C
IC -- VBE
2SC4488
VCE=5V
--25
°C
25
°C
T
a=75
°C
ITR04327
25
°C
--25
°C
T
a=75
°C
2SA1708
VCE= --5V
--1.2
--0.6
--0.8
--1.0
--0.2
--0.4
0
--1.2
--1.0
--0.8
--0.6
--0.4
--0.2
IC -- VBE
ITR04326
0
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
100
10
3
2
7
5
3
2
1.2
0.6
0.8
1.0
0.2
0.4
0
5
2
3
2
3
5
7
10
100
10
0.01
1000
7
5
3
2
7
5
3
2
23
5
7
0.1
72
3
5
7 1.0
23
--0.01
23
5
7
--0.1
72
3
5
7
--1.0
0.01
23
5
7
0.1
72
3
5
7
1.0
10
100
1.0
57
72
3
5
7
22
3
DC
Current
Gain,
h
FE
Collector Current, IC – A
DC
Current
Gain,
h
FE
Collector Current, IC – A
Gain-Bandwidth
Product,
f T
MHz
Collector Current, IC – A
Gain-Bandwidth
Product,
f T
MHz
Collector Current, IC – A
Output
Capacitance,
Cob
-
pF
Output
Capacitance,
Cob
-
pF
Collector-to-Base Voltage, VCB -- V
Collector
Current,
I C
A
Base-to-Emitter Voltage, VBE –V
Collector
Current,
I C
A
Base-to-Emitter Voltage, VBE –V
相关PDF资料
PDF描述
2SC4488-S 1000 mA, 100 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC4488-T 1000 mA, 100 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SA1708-S 1000 mA, 100 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC4497-O 100 mA, 300 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236
2SC4497-R 100 mA, 300 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236
相关代理商/技术参数
参数描述
2SA1708T-AN 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP PNP 1A 100V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2SA1709S-AN 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP PNP 2A 100V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2SA1709T-AN 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP PNP 2A 100V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2SA171 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY TRANSISTOR TO-5 -20V -.05A .125W
2SA1720-AZ-L 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Bulk